[发明专利]有机光电器件、图像传感器和电子装置

权利要求书

1.有机光电器件，包括：

第一电极；

在所述第一电极上的第二电极；

在所述第一电极和所述第二电极之间的光电转换层，所述光电转换层包括p-n结，所述p-n结包括第一光吸收材料和第二光吸收材料；以及

在所述第一电极和所述光电转换层之间的缓冲层，所述缓冲层包括所述第一光吸收材料和与光的可见波长谱相关的非吸收材料，所述非吸收材料具有5.4eV-5.8eV的最高占据分子轨道HOMO能级，

其中所述缓冲层包括：

与所述第一电极邻近且包括所述与光的可见波长谱相关的非吸收材料的第一缓冲层，和

与所述光电转换层邻近且包括所述第一光吸收材料的第二缓冲层；或者

其中所述缓冲层包括所述第一光吸收材料和所述与光的可见波长谱相关的非吸收材料的混合物。

2.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第一光吸收材料配置成选择性地吸收在光的红色波长谱、光的绿色波长谱和光的蓝色波长谱之一内的光。

3.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第一光吸收材料配置成选择性地吸收具有520nm-580nm的最大吸收波长λ_最大的光的绿色波长谱。

4.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述光电转换层和所述缓冲层彼此接触。

5.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第二缓冲层进一步包括所述与光的可见波长谱相关的非吸收材料。

6.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述缓冲层进一步包括：

在所述第一缓冲层和所述第二缓冲层之间且包括所述第一光吸收材料和所述与光的可见波长谱相关的非吸收材料的混合物的第七缓冲层。

7.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述与光的可见波长谱相关的非吸收材料为由化学式1A或1B表示的化合物，

[化学式1A]

[化学式1B]

其中，在化学式1A或1B中，

M¹和M²各自独立地为CRⁿR^o、SiR^pR^q、NR^r、O、S、Se或Te，

Ar^1b、Ar^2b、Ar^3b和Ar^4b各自独立地为取代或未取代的C₆-C₃₀芳基或者取代或未取代的C₃-C₃₀杂芳基，

G²和G³各自独立地为单键、-(CR^sR^t)_n3-、-O-、-S-、-Se-、-N＝、-NR^u-、-SiR^vR^w-或-GeR^xR^y-，其中n3为1或2，和

R³⁰-R³⁷和Rⁿ-R^y各自独立地为氢、取代或未取代的C₁-C₃₀烷基、取代或未取代的C₆-C₃₀芳基、取代或未取代的C₃-C₃₀杂环基团、取代或未取代的C₁-C₆烷氧基、卤素或氰基。

8.如权利要求1所述的有机光电器件，其中所述第一光吸收材料具有包括供电子部分、π共轭连接体和受电子部分的核心结构。