[发明专利]一种用于提高单层石墨烯对可见光吸收效率的光学结构在审
| 申请号： | 201710032833.X | 申请日： | 2017-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN106711246A | 公开（公告）日： | 2017-05-24 |
| 发明（设计）人： | 郑改革;徐林华;卜令兵;邹秀娟;张皓景 | 申请（专利权）人： | 南京信息工程大学 |
| 主分类号： | H01L31/0232 | 分类号： | H01L31/0232;H01L31/18 |
| 代理公司： | 南京钟山专利代理有限公司32252 | 代理人： | 戴朝荣 |
| 地址： | 210044 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于提高单层石墨烯对可见光吸收效率的光学结构。自上而下依次包括单层石墨烯、波导层、光学透明层以及棱镜。通过在棱镜表面涂覆两层电介质薄膜结构，能够使石墨烯与倏逝波充分相互作用，提高单层石墨烯的吸收效率，在可见光波段将单层石墨烯对电磁波的吸收率提高至100％。同时实现对单层石墨烯吸收特性的调控，拓展其在可调光谱选择性探测等领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 提高 单层 石墨 可见 光吸收 效率 光学 结构 | ||
【主权项】：
一种用于提高单层石墨烯对可见光吸收效率的光学结构，其特征在于：自上而下依次包括单层石墨烯、波导层、光学透明层以及棱镜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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