[发明专利]一种晶圆电镀方法及电镀装置在审
| 申请号： | 201710032460.6 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN108315792A | 公开（公告）日： | 2018-07-24 |
| 发明（设计）人： | 周峻晨;何*;吴文瑜;王金岗 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | C25D7/12 | 分类号： | C25D7/12;C25D17/02 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 高伟;冯永贞 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种晶圆电镀方法及电镀装置，所述方法包括：提供待电镀的晶圆，并对所述晶圆通电；提供反应腔室，在所述反应腔室内设置有阻挡层，以将所述反应腔室间隔为上腔室和下腔室，其中在所述下腔室内设置有电镀液，所述上腔室内设置有与所述晶圆不发生反应的非电镀液；将所述晶圆放入所述上腔室，当所述晶圆完全浸入所述非电镀液内时，移除所述阻挡层，以使所述上腔室和下腔室连通并对所述晶圆执行电镀工艺。通过所述阻挡层可以将所述晶圆在浸入所述反应腔室的瞬间与电镀液隔离，从而解决了瞬间电流过大的问题，进一步提高器件的性能和良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 反应腔室 电镀 上腔室 阻挡层 浸入 电镀装置 电镀液 非电镀 下腔室 室内 种晶 电镀工艺 反应腔 放入 良率 上腔 下腔 移除 连通 通电 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆电镀方法，其特征在于，所述方法包括：提供待电镀的晶圆，并对所述晶圆通电；提供反应腔室，在所述反应腔室内设置有阻挡层，以将所述反应腔室间隔为上腔室和下腔室，其中在所述下腔室内设置有电镀液，所述上腔室内设置有与所述晶圆不发生反应的非电镀液；将所述晶圆放入所述上腔室，当所述晶圆完全浸入所述非电镀液内时，移除所述阻挡层，以使所述上腔室和下腔室连通并对所述晶圆执行电镀工艺。
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