[发明专利]一种晶圆电镀方法及电镀装置

权利要求书

1.一种晶圆电镀方法，其特征在于，所述方法包括：

提供待电镀的晶圆，并对所述晶圆通电；

提供反应腔室，在所述反应腔室内设置有阻挡层，以将所述反应腔室间隔为上腔室和下腔室，其中在所述下腔室内设置有电镀液，所述上腔室内设置有与所述晶圆不发生反应的非电镀液；

将所述晶圆放入所述上腔室，当所述晶圆完全浸入所述非电镀液内时，移除所述阻挡层，以使所述上腔室和下腔室连通并对所述晶圆执行电镀工艺。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述非电镀液包括纯水。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层选取用于阻挡所述电镀液的材料。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述阻挡层选取蒲苇防水透气膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述阻挡层下方的所述下腔室中还设置有支撑所述阻挡层的高阻值虚拟阳极。

6.一种电镀装置，其特征在于，所述装置包括：

主体，设有反应腔室；

阻挡层，设置在所述主体上，并能在伸出状态、收回状态之间切换：

所述阻挡层在所述伸出状态下，设置于所述反应腔室内部，以将所述反应腔室间隔为上腔室和下腔室，其中所述下腔室用于盛放电镀液，所述上腔室用于盛放与晶圆不发生反应的非电镀液；

所述阻挡层在所述收回状态下，所述上腔室和下腔室连通。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述阻挡层选取用于阻挡所述电镀液的材料。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，所述阻挡层选取蒲苇防水透气膜。

9.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述反应腔室中还设置有支撑所述阻挡层的高阻值虚拟阳极，所述阻挡层在所述伸出状态下，所述高阻值虚拟阳极位于所述下腔室内，所述伸出状态下的阻挡层设置于所述高阻值虚拟阳极上方。

10.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述反应腔室中还设置有阴极电极和阳极电极，所述阻挡层在所述伸出状态下，所述阴极电极位于所述上腔室内，所述阳极电极位于所述下腔室内。

11.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：可旋转地设置在所述主体上并位于所述反应腔室内的卷筒，所述阻挡层缠绕在所述卷筒上。