[发明专利]一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT在审
| 申请号： | 201710027574.1 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783989A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;孙涛;黄琳华;邓高强;周坤;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT。本发明相对于传统结构，主要提出了在集电极增加阳极短路槽，短路槽在正向耐压时起到电场截止的作用，使得电场近似矩形分布。传统NPT结构的纵向电场近似为三角形分布，所以在耐压相同的情况下，新器件所需厚度更薄，导通压降更低。同时，阳极短路槽在关断时产生电子积累层，提供电子低阻通道，加速电子抽取，降低关断损耗。新器件在反向耐压状态下，由于不存在高浓度的N型场截止层，保证了与正向耐压对称的反向耐压值。本发明的有益效果为，能够双向耐压，相对于传统结构，本发明具有开关速度更快和关断功耗更低的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阳极 短路 rb igbt | ||
【主权项】：
一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT，包括集电极结构、漂移区(4)、发射极结构和栅极结构，其中集电极结构位于漂移区下端，发射极结构和栅极结构位于漂移区(4)之上；所述发射极结构包括位于漂移区上表面的N型存储层(5)和位于N型层(5)上表面的P型阱区(6)，所述P型阱区(6)上层沿器件横向方向并列设置有N型发射极区(7)和P型体接触区(8)；所述N型发射极区(7)和P型体接触区(8)的共同引出端为发射极；其特征在于，所述集电极结构包括P型集电极层(1)与多个阳极短路槽，P型集电极层(1)位于N型漂移区(4)的下表面；所述阳极短路槽沿器件横向方向间断分布，且阳极短路槽沿器件垂直方向贯穿P型集电极层(1)延伸入N型漂移区(4)中；所述P型集电极层(1)和阳极短路槽的共同引出端为集电极；所述阳极短路槽由第一导电材料(22)和第一绝缘介质(32)构成，第一导电材料(22)位于第一绝缘介质(32)之中。
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