[发明专利]一种具有阳极短路槽的RB‑IGBT在审
| 申请号： | 201710027574.1 | 申请日： | 2017-01-16 |
| 公开（公告）号： | CN106783989A | 公开（公告）日： | 2017-05-31 |
| 发明（设计）人： | 罗小蓉;孙涛;黄琳华;邓高强;周坤;张波 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/417 |
| 代理公司： | 成都点睛专利代理事务所(普通合伙)51232 | 代理人： | 葛启函 |
| 地址： | 611731 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 具有 阳极 短路 rb igbt | ||
1.一种具有阳极短路槽的RB-IGBT，包括集电极结构、漂移区(4)、发射极结构和栅极结构，其中集电极结构位于漂移区下端，发射极结构和栅极结构位于漂移区(4)之上；
所述发射极结构包括位于漂移区上表面的N型存储层(5)和位于N型层(5)上表面的P型阱区(6)，所述P型阱区(6)上层沿器件横向方向并列设置有N型发射极区(7)和P型体接触区(8)；所述N型发射极区(7)和P型体接触区(8)的共同引出端为发射极；
其特征在于，所述集电极结构包括P型集电极层(1)与多个阳极短路槽，P型集电极层(1)位于N型漂移区(4)的下表面；所述阳极短路槽沿器件横向方向间断分布，且阳极短路槽沿器件垂直方向贯穿P型集电极层(1)延伸入N型漂移区(4)中；所述P型集电极层(1)和阳极短路槽的共同引出端为集电极；所述阳极短路槽由第一导电材料(22)和第一绝缘介质(32)构成，第一导电材料(22)位于第一绝缘介质(32)之中。
2.根据权利要求1所述的一种具有阳极短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述栅极结构为沟槽栅，沟槽栅位于发射极结构的两侧；所述沟槽栅由第二导电材料(21)和第二绝缘介质(31)构成，第二绝缘介质(31)位于沟槽栅的侧壁和底部，第二导电材料(21)被第二绝缘介质(31)包围，所述第二导电材料(21)的引出端为栅极；所述沟槽栅从器件上表面沿垂直方向穿过P型阱区(6)与N型存储层(5)后与漂移区(4)接触，沟槽栅的侧面与N型层(5)、P型阱区(6)和N型发射极区(7)的侧面接触。
3.根据权利要求1所述的一种具有阳极短路槽的RB-IGBT，其特征在于，所述栅极结构为平面栅，所述平面栅由第二绝缘介质(31)和位于第二绝缘介质(31)上表面的第二导电材料(21)构成；所述第二导电材料(21)的引出端为栅极；所述第二绝缘介质(31)与漂移区(4)上表面、N型存储层(5)、P型阱区表面(6)和部分N型发射极区(7)的上表面均接触。
4.根据权利要求2或3所述的一种具有阳极短路槽的RB-IGBT，其特征在于，阳极短路槽之间沿器件横向方向上等间距。
5.根据权利要求2或3所述的一种具有阳极短路槽的RB-IGBT，其特征在于，阳极短路槽之间沿器件横向方向上不等间距。
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