[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

摘要

本发明属于功率半导体器件领域，具体的涉及一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法。本发明所提出的新型逆导型绝缘栅双极晶体管，其创新之处是将结终端阳极区域的P型掺杂替换为N型掺杂，这样在元胞区的N型阳极区可以做的比较短，从而提高了阳极短路电阻以抑制Snapback效应。在加反向电压的时候，元胞区和结终端区的N型阳极区域共同充当PIN二极管的阴极，相当于将结终端区的面积利用起来进行反向导通，这样就在不影响器件反向导通能力的同时抑制了正向导通时候的Snapback效应。在实际应用中可以根据器件正反向导通能力的需要，灵活地调整元胞区的N型阳极区长度来满足要求。

主权项

一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括元胞区和结终端区；所述元胞区包括第一N型漂移区(6)，所述第一N型漂移区(6)的上层具有P型基区(5)，所述P型基区(5)的上层具有N型源区(4)；所述第一N型漂移区(6)的上表面具有和栅极，所述栅极由栅氧化层(2)和位于栅氧化层(2)上表面的栅电极(1)构成；栅氧化层(2)的下表面还与部分P型基区(5)和部分N型源区(4)的上表面接触，部分P型基区(5)的上表面和部分N型源区(4)的上表面还具有金属化阴极(3)；第一N型漂移区(6)的下层具有N型阳极区(7)和P型阳极区(8)，所述N型阳极区(7)和P型阳极区(8)并列设置，且P型阳极区(8)位于靠近结终端区一侧；所述结终端区中包括第二N型漂移区(15)，所述第二N型漂移区(15)的上层具有P型等位环(10)和P型场限环(13)，所述P型等位环(10)位于靠近元胞区一侧，且P型等位环(10)与相邻的P型基区(5)接触，P型等位环(10)的部分上表面与金属化阴极(3)接触；所述P型等位环(10)的上表面还具有栅极；所述第二N型漂移区(15)的上表面具有场氧化层(12)，所述场氧化层(12)的下表面还与部分P型等位环(10)和部分P型场限环(13)的上表面接触，所述场氧化层(12)靠近元胞区的一侧具有金属化场板(11)，所述金属化场板(11)的下表面与P型等位环(10)和P型场限环(13)的上表面接触，且金属化场板(11)还延伸至部分场氧化层(12)的上表面；所述第二N型漂移区(15)的下层具有N型阳极区(14)，所述N型阳极区(14)与P型阳极区(8)并列设置，所述N型阳极区(7)、P型阳极区(8)和N型阳极区(14)的下表面具有金属化阳极(9)。