[发明专利]一种逆导型绝缘栅双极晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管，包括元胞区和结终端区；所述元胞区包括第一N型漂移区(6)，所述第一N型漂移区(6)的上层具有P型基区(5)，所述P型基区(5)的上层具有N型源区(4)；所述第一N型漂移区(6)的上表面具有和栅极，所述栅极由栅氧化层(2)和位于栅氧化层(2)上表面的栅电极(1)构成；栅氧化层(2)的下表面还与部分P型基区(5)和部分N型源区(4)的上表面接触，部分P型基区(5)的上表面和部分N型源区(4)的上表面还具有金属化阴极(3)；第一N型漂移区(6)的下层具有N型阳极区(7)和P型阳极区(8)，所述N型阳极区(7)和P型阳极区(8)并列设置，且P型阳极区(8)位于靠近结终端区一侧；

所述结终端区中包括第二N型漂移区(15)，所述第二N型漂移区(15)的上层具有P型等位环(10)和P型场限环(13)，所述P型等位环(10)位于靠近元胞区一侧，且P型等位环(10)与相邻的P型基区(5)接触，P型等位环(10)的部分上表面与金属化阴极(3)接触；所述P型等位环(10)的上表面还具有栅极；所述第二N型漂移区(15)的上表面具有场氧化层(12)，所述场氧化层(12)的下表面还与部分P型等位环(10)和部分P型场限环(13)的上表面接触，所述场氧化层(12)靠近元胞区的一侧具有金属化场板(11)，所述金属化场板(11)的下表面与P型等位环(10)和P型场限环(13)的上表面接触，且金属化场板(11)还延伸至部分场氧化层(12)的上表面；所述第二N型漂移区(15)的下层具有N型阳极区(14)，所述N型阳极区(14)与P型阳极区(8)并列设置，所述N型阳极区(7)、P型阳极区(8)和N型阳极区(14)的下表面具有金属化阳极(9)。

2.一种逆导型绝缘栅双极型晶体管的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：

第一步：在硅片上生长场氧化层，形成第一N型漂移区(6)、第二N型漂移区(15)和场氧化层(12)；其中，第一N型漂移区(6)、第二N型漂移区(15)并列设置，场氧化层(12)位于第一N型漂移区(6)和第二N型漂移区(15)上表面；

第二步：刻蚀部分场氧化层，在第二N型漂移区(15)上层进行离子注入完成结终端的制作，形成P型等位环(10)和P型场限环(13)；其中，P型等位环(10)位于靠近第一N型漂移区(6)的一侧

第三步：在第一N型漂移区(6)上表面的一侧通过热氧化形成栅氧化层2，并在栅氧化层(2)上淀积一层多晶硅/金属再刻蚀形成栅电极(3)；

第四步：在第一N型漂移区(6)上层注入P型杂质并推结形成P型基区(5)；

第五步：在第一N型漂移区(6)上层注入N型杂质形成N型源区(4)；所述N型源区(4)位于P型基区(5)中；

第六步：在器件上表面淀积BPSG绝缘介质层，刻蚀欧姆接触孔；

第七步：在P型基区(5)、N型源区(4)、P型等位环(10)以及P型场限环(13)上表面淀积金属，形成阴极金属(1)和金属化场板(11)；

第八步：淀积钝化层；

第九步：对第一N型漂移区(6)和第二N型漂移区(15)的下表面进行减薄、抛光处理，采用较高能量注入P型杂质形成P型阳极区(8)；

第十步：对第一N型漂移区(6)和第二N型漂移区(15)的下表面的部分区域采用离子注入比第九步中注入的P型杂质更高掺杂浓度的N型杂质形成N型阳极区(7)和N型阳极区(14)；所述N型阳极区(7)、N型阳极区(14)和P型阳极区(8)并列设置，且P型阳极区(8)位于N型阳极区(7)和N型阳极区(14)之间；

第十步：在器件下表面进行金属淀积以形成金属化阳极(9)。