[发明专利]形成半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201710024090.1 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107068564B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | R.鲁普;F.J.桑托斯罗德里格斯;H-J.舒尔策 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L21/265;H01L21/268;H01L21/322;H01L21/324 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 申屠伟进;杜荔南 |
| 地址： | 德国瑙伊比*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法的实施例包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到该半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）。该方法还包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到所述半导体衬底的一部分中，所述杂质被配置成吸收能量小于所述半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）；在所述半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）；利用电磁辐射来对所述半导体衬底进行辐照，所述电磁辐射被配置成由所述杂质吸收并且被配置成产生所述半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）；以及通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使所述半导体层和所述半导体衬底分离，所述热处理被配置成通过热机械应力引起沿着所述晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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