[发明专利]形成半导体器件的方法

说明书

本发明涉及形成半导体器件的方法。一种形成半导体器件的方法的实施例包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到该半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射（S100）。该方法还包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层（S110）。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏（S120）。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成（S130）。

背景技术

半导体处理技术的目的在于晶片厚度的精确设定。例如，在绝缘栅极双极晶体管（IGBT）中，场停止区和发射极之间的目标距离的精确设定对于确保高短路电流能力是必不可少的。

所期望的是，改进制造半导体器件的方法中的半导体本体厚度的设定。

发明内容

通过独立权利要求的教导来解决目标。另外的实施例被限定在从属权利要求中。

本公开涉及一种形成半导体器件的方法。该方法包括通过离子注入在半导体衬底的第一表面处将杂质引入到半导体衬底的一部分中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射。该方法还包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使该半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成。

本公开涉及形成半导体器件的另一方法。该方法包括在半导体衬底的第一表面上形成半导体层，其中杂质被引入到在半导体衬底的第一表面处邻接半导体衬底的第一子层中，该杂质被配置成吸收能量小于半导体衬底的带隙能量的电磁辐射。该方法还包括利用电磁辐射来对半导体衬底进行辐照，该电磁辐射被配置成由杂质吸收并且被配置成产生半导体衬底的晶格的局部损坏。该方法还包括通过对半导体层和半导体衬底的热处理来使该半导体层和半导体衬底分离，该热处理被配置成通过热机械应力引起沿着晶格的局部损坏的裂缝形成。

本领域技术人员在阅读以下详细描述时和在查看附图时将认识到附加的特征和优点。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解并且被并入该说明书中以及组成该说明书的一部分。附图图示了本发明的实施例并且与描述一起用于解释本发明的原理。将容易领会到本发明的其它实施例和预期优点，因为通过参照以下详细描述它们变得更好理解。

图1是用于图示制造半导体器件的方法的示意性流程图。

图2是用于图示制造半导体器件的另一方法的示意性流程图。

图3A至3G是用于图示制造半导体器件的方法的过程的半导体本体的横截面视图。

图4是用于图示根据另一实施例的、可以替代图3C的过程的过程的半导体本体的横截面视图。

图5A至5C是用于图示根据实施例的、可以在图3A至图3D的过程后面的过程的半导体本体的横截面视图。

图6A和6B是用于图示根据实施例的、可以在图3A至图3C的过程后面的过程的半导体本体的横截面视图。

图6C是用于图示制造半导体器件的另一方法的半导体本体的示意性横截面视图。

图7A至7D是用于图示通过图1至图6B的过程制造的半导体器件的半导体本体的示意性横截面视图。

具体实施方式