[发明专利]半导体器件和MEMS器件有效
| 申请号： | 201710024010.2 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107055459B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;李久康 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明的实施例提供了一种半导体器件，包括静止结构、弹簧和质量块。静止结构具有第一部分和第二部分。弹簧在衬底上方。弹簧具有从边缘突出的且朝向静止结构的第一部分延伸的第一突起。质量块在衬底上方且由弹簧支撑。质量块具有从边缘突出的且朝向静止结构的第二部分延伸的第二突起。第一突起和第一部分之间的第一间隙小于第二突起和第二部分之间的第二间隙。本发明的实施例还提供了一种微机电系统器件。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 mems 器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：衬底；第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；第二结构，位于所述衬底上方，所述第二结构具有从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸的第一突起；以及第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑，所述第三结构具有从所述第三结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第二部分延伸的第二突起，其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第二部分之间的第二间隙。
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