[发明专利]半导体器件和MEMS器件有效
| 申请号： | 201710024010.2 | 申请日： | 2017-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN107055459B | 公开（公告）日： | 2021-12-14 |
| 发明（设计）人： | 郑钧文;李久康 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/02 | 分类号： | B81B7/02 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 mems 器件 | ||
1.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；
第二结构，位于所述衬底上方，所述第二结构具有从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸的第一突起；以及
第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑，所述第三结构具有从所述第三结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第二部分延伸的第二突起，其中，所述第一结构是静止结构，所述第二结构是回弹结构，所述第三结构是耦合至所述回弹结构的质量块，并且所述回弹结构配置为允许所述质量块朝向或远离所述静止结构移动，
其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第二部分之间的第二间隙。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离等于所述第一结构的第二部分和所述第三结构的边缘之间的第二距离。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度大于所述第二厚度。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离小于所述第一结构的第二部分和所述第三结构的边缘之间的第二距离。
5.根据权利要求4所述的半导体器件，其中，所述第一突起具有第一厚度，所述第二突起具有第二厚度，并且所述第一厚度等于所述第二厚度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一突起和所述第二结构整体地形成，并且所述第二突起和所述第三结构整体地形成。
7.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一部分和第二部分彼此断开。
8.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第一结构是导电的。
9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二结构是导电的。
10.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第三结构是导电的。
11.根据权利要求2所述的半导体器件，其中，所述第一距离在从2微米至3微米的范围内。
12.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一厚度和所述第二厚度之间的差为0.5微米。
13.根据权利要求7所述的半导体器件，其中，所述回弹结构具有缠绕图案。
14.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述第二突起的弹性小于所述第一突起的弹性。
15.一种半导体器件，包括：
衬底；
第一结构，位于所述衬底上方，所述第一结构具有第一部分和第二部分；
第二结构，位于所述衬底上方；
第三结构，位于所述衬底上方并且由所述第二结构支撑，其中，所述第一结构是静止结构，所述第二结构是回弹结构，所述第三结构是耦合至所述回弹结构的质量块，并且所述回弹结构配置为允许所述质量块朝向或远离所述静止结构移动；
第一突起，从所述第二结构的边缘突出并且朝向所述第一结构的第一部分延伸；以及
第二突起，从所述第一结构的第二部分的边缘突出并且朝向所述第三结构延伸，
其中，所述第一突起和所述第一部分之间的第一间隙小于所述第二突起和所述第三结构之间的第二间隙。
16.根据权利要求15所述的半导体器件，其中，所述第一结构的第一部分和所述第二结构的边缘之间的第一距离等于所述第一结构的第二部分的边缘和所述第三结构之间的第二距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710024010.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
