[发明专利]一种SOI MOS器件的热阻提取方法有效
| 申请号： | 201710021085.5 | 申请日： | 2017-01-12 |
| 公开（公告）号： | CN106802385B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 卜建辉;王成成;卢剑;罗家俊;韩郑生 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | G01R31/26 | 分类号： | G01R31/26 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种SOI MOS器件的热阻提取方法，包括：在第一MOS器件处于非工作状态时，测试第二MOS器件在不同温度下的亚阈值斜率，获得亚阈值斜率标准数据；在第一环境温度下，测试当第一MOS器件处于工作状态时，第二MOS器件的当前亚阈值斜率；根据当前亚阈值斜率和亚阈值斜率标准数据，确定第一MOS器件的当前工作温度；根据当前工作温度与第一环境温度的差值，确定第一MOS器件的热阻。本发明提供的方法，解决了现有技术中PIV法测量热阻，存在的设备昂贵的技术问题。实现了一种简单且成本低的热阻测量方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soimos 器件 提取 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SOI MOS器件的热阻提取方法，其特征在于，包括：在第一MOS器件处于非工作状态时，测试第二MOS器件在不同温度下的亚阈值斜率，获得亚阈值斜率标准数据；其中，所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间的距离小于等于预设距离；在第一环境温度下，测试当所述第一MOS器件处于工作状态时，所述第二MOS器件的当前亚阈值斜率；并测试所述第一MOS器件处于工作状态时的功率值；根据所述当前亚阈值斜率和所述亚阈值斜率标准数据，确定所述第一MOS器件的当前工作温度；根据所述当前工作温度与所述第一环境温度的差值和所述功率值，确定所述第一MOS器件的热阻。
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