[发明专利]一种SOI MOS器件的热阻提取方法

权利要求书

1.一种SOI MOS器件的热阻提取方法，其特征在于，包括：

在第一MOS器件处于非工作状态时，测试第二MOS器件在不同温度下的亚阈值斜率，获得亚阈值斜率标准数据；其中，所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间的距离小于等于预设距离；

在第一环境温度下，测试当所述第一MOS器件处于工作状态时，所述第二MOS器件的当前亚阈值斜率；并测试所述第一MOS器件处于工作状态时的功率值；

根据所述当前亚阈值斜率和所述亚阈值斜率标准数据，确定所述第一MOS器件的当前工作温度；

根据所述当前工作温度与所述第一环境温度的差值和所述功率值，确定所述第一MOS器件的热阻。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件和所述第二MOS器件之间的距离为设计规则要求的最小值。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件处于非工作状态，包括：

所述第一MOS器件的栅端和漏端均悬空。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件处于工作状态，包括：

所述第一MOS器件的栅端和漏端均加上电源电压。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二MOS器件的沟道宽度为设计规则要求的最小值。

6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一MOS器件的沟道宽度与所述第二MOS器件的沟道宽度的比值大于10。

7.如权利要求1-6任一所述的方法，其特征在于：

所述确定所述第一MOS器件的热阻之前，还包括：在所述第一环境温度下，测试所述第一MOS器件处于工作状态时的功率值；

所述根据所述当前工作温度与所述第一环境温度的差值，确定所述第一MOS器件的热阻，包括：

所述第一MOS器件的热阻等于所述差值除以所述功率值。

8.如权利要求7所述的方法，其特征在于，所述确定所述第一MOS器件的热阻之后，还包括：

将所述热阻乘以所述第一MOS器件的沟道宽度，以归一化处理获得归一化热阻参数。