[发明专利]一种去除刻蚀工序残留聚合物的方法在审
| 申请号： | 201710020001.6 | 申请日： | 2017-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN108305827A | 公开（公告）日： | 2018-07-20 |
| 发明（设计）人： | 叶星;张校平 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种去除刻蚀工序残留聚合物的方法，所述方法包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀以形成凹槽；去除刻蚀在所述凹槽的底部和侧壁上产生的聚合物；继续刻蚀所述凹槽底部的所述半导体衬底上剩余的所述绝缘层，以完全去除剩余的所述绝缘层；去除继续刻蚀所述剩余的绝缘层所产生的聚合物。采用本发明的方法，分两步进行刻蚀，刻蚀后分别用强湿法和弱湿法清洗工艺清洗刻蚀所产生的聚合物，在保护半导体衬底不受损伤的同时，去除刻蚀工序残留的聚合物，这种方法适用于多种不同的集成电路结构。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 绝缘层 去除 聚合物 衬底 半导体 刻蚀工序 残留聚合物 集成电路结构 湿法清洗工艺 侧壁 湿法 清洗 损伤 残留 | ||
【主权项】：
1.一种去除刻蚀工序残留聚合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；对所述绝缘层进行刻蚀以在所述绝缘层中形成凹槽；去除刻蚀在所述凹槽的底部和侧壁上产生的聚合物；继续刻蚀所述凹槽底部的所述半导体衬底上剩余的所述绝缘层，以完全去除所述凹槽底部剩余的所述绝缘层；去除继续刻蚀所述剩余的绝缘层所产生的聚合物。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201710020001.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：外置电磁场常压敞开式激光质谱仪
- 下一篇：以超临界流体处理电子组件的方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
