[发明专利]一种去除刻蚀工序残留聚合物的方法

权利要求书

1.一种去除刻蚀工序残留聚合物的方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有绝缘层；

对所述绝缘层进行刻蚀以在所述绝缘层中形成凹槽；

去除刻蚀在所述凹槽的底部和侧壁上产生的聚合物；

继续刻蚀所述凹槽底部的所述半导体衬底上剩余的所述绝缘层，以完全去除所述凹槽底部剩余的所述绝缘层；

去除继续刻蚀所述剩余的绝缘层所产生的聚合物。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底上保留的部分绝缘层的厚度为0.1‐0.2μm。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除局部刻蚀产生的聚合物的方法包括第一湿法清洗工艺。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述去除继续刻蚀剩余绝缘层产生的聚合物的方法包括第二湿法清洗工艺。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述第一湿法清洗工艺为强湿法清洗工艺，所述第二湿法清洗工艺为弱湿法清洗工艺。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底为硅衬底。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有金属层，继续刻蚀所述凹槽底部的所述半导体衬底上剩余的所述绝缘层以露出所述金属层。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述绝缘层包括氧化物或氮化物。

9.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述金属层上形成有钝化层和光刻胶层，所述凹槽是以所述光刻胶层为掩膜刻蚀所述钝化层，露出所述金属层，并对所述绝缘层进行局部刻蚀形成的。