[发明专利]一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法

摘要

本发明公开了一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，包括如下步骤将干燥纯净的甘草种子用98％浓硫酸浸种、破除种皮硬实特性并用0.1％H2O2消毒后，用蒸馏水洗净备用，根据生产实践设置不同浓度NaCl(100mM、200mM、300mM)和PEG‑6000(10％、20％、30％)的水溶液模拟盐和干旱双重胁迫环境，通过在旱盐双重胁迫水溶液中加入一定浓度外源Si提高其发芽率、发芽指数及幼苗活力指数。并且该方法易操作、低成本、省时省力，可增强甘草种子及幼苗的抗逆性，使处理后的甘草种子具有发芽整齐、发芽率高、出苗快、幼苗质量高的特点，解决了旱盐胁迫下甘草种子发芽率及幼苗质量低下的问题。

主权项

一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法，其特征在于：包括如下步骤：S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子，用98％浓H2SO4处理40‑50min后，用蒸馏水冲洗3遍，再用0.1％的H2O2消毒8‑13min，最后用蒸馏水冲洗；S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡10‑14h，且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为35‑45摄氏度，完成后，备用；S3、采用PEG‑6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫，本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3)，每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平，分别为轻度10％PEG(D1)、中度20％PEG(D2)和重度30％PEG(D3)；S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合，分别为S1D1、S1D2、S1D3，S2D1、S2D2、S2D3，S3D1、S3D2、S3D3，在此基础上，每个处理均分为两组：一组为不加硅处理，另一组为添加一定浓度外源硅；S5、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子，用滤纸吸干表面水分，且保证甘草种子的含水量不高于百分之二，然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入4‑7mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中，每皿45‑55粒，实验条件为光照/黑暗(10‑14/10‑14h，26‑30℃/18‑22℃)，每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定；S6、实验期间逐日统计种子发芽数，以胚根长＞1mm为标准，实验结束时，测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。