[发明专利]一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法在审

专利信息
申请号: 201710004305.3 申请日: 2017-01-04
公开(公告)号: CN106717285A 公开(公告)日: 2017-05-31
发明(设计)人: 张新慧;张文晋;郎多勇;李明;张彩芳;王建寰 申请(专利权)人: 宁夏医科大学
主分类号: A01C1/00 分类号: A01C1/00;G01B21/02;G01B21/10;G01N5/04
代理公司: 广州市一新专利商标事务所有限公司44220 代理人: 张芳
地址: 750000 宁夏回*** 国省代码: 宁夏;64
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摘要:
搜索关键词: 一种 促进 干旱 双重 胁迫 甘草 种子 发芽 出苗 方法
【权利要求书】:

1.一种促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽出苗的方法,其特征在于:包括如下步骤:

S1、选取籽粒饱满、大小一致的甘草种子,用98%浓H2SO4处理40-50min后,用蒸馏水冲洗3遍,再用0.1%的H2O2消毒8-13min,最后用蒸馏水冲洗;

S2、将S1中处理后的甘草种子置于烧杯中用蒸馏水浸泡10-14h,且在浸泡过程中保持烧杯内的水温度为35-45摄氏度,完成后,备用;

S3、采用PEG-6000和NaCl模拟不同程度的旱盐双重胁迫,本次盐胁迫设置3个水平分别为轻度100mM NaCl(S1)、中度200mM NaCl(S2)和重度300mM NaCl(S3),每个盐胁迫水平下又设置3个干旱水平,分别为轻度10%PEG(D1)、中度20%PEG(D2)和重度30%PEG(D3);

S4、根据S4中的旱盐双重胁迫共计9个处理组合,分别为S1D1、S1D2、S1D3,S2D1、S2D2、S2D3,S3D1、S3D2、S3D3,在此基础上,每个处理均分为两组:一组为不加硅处理,另一组为添加一定浓度外源硅;

S5、选取籽粒饱满、整齐一致的已处理过的甘草种子,用滤纸吸干表面水分,且保证甘草种子的含水量不高于百分之二,然后将甘草种子均匀摆入铺有两层无菌滤纸并加入4-7mL浓度处理溶液的培养皿(9cm×9cm×3cm)中,每皿45-55粒,实验条件为光照/黑暗(10-14/10-14h,26-30℃/18-22℃),每日下午用称质量法加蒸馏水至恒质量以保持溶液浓度恒定;

S6、实验期间逐日统计种子发芽数,以胚根长>1mm为标准,实验结束时,测定幼苗根系和茎叶的长度、粗度及幼苗鲜干重。

2.根据权利要求1所述的促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽、提高幼苗活力的方法,其特征在于:在S4中加入一定浓度的外源硅。

3.根据权利要求1所述的促进盐和干旱双重胁迫下甘草种子发芽、提高幼苗活力的方法,其特征在于:所述烧杯、容器在使用前均经过消毒处理,且保证其的含水量不高于百分之五。

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