[发明专利]单电子晶体管(SET)和基于SET的QUBIT检测器设备有效
| 申请号： | 201680088879.7 | 申请日： | 2016-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109643730B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | H.C.乔治;J.S.克拉克 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/775 | 分类号： | H01L29/775;H01L29/78;H01L29/73 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 黄涛;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本文公开的是单电子晶体管(SET)装置以及相关方法和装置。在一些实施例中，一种SET装置可包括：第一和第二源极/漏极(S/D)电极；多个岛，被布置在第一和第二S/D电极之间；和介电材料，被布置在所述岛的相邻岛之间，布置在第一S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间，并且布置在第二S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间。 | ||
| 搜索关键词： | 电子 晶体管 set 基于 qubit 检测器 设备 | ||
【主权项】：
1.一种装置，包括：多岛单电子晶体管(SET)的第一和第二源极/漏极(S/D)电极；多岛SET的多个岛，被布置在第一和第二S/D电极之间；和介电材料，被布置在所述岛的相邻岛之间，布置在第一S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间，并且布置在第二S/D电极和相邻的所述岛中的岛之间。
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