[发明专利]高掷数RF开关有效
| 申请号： | 201680083387.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108781079B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·S·夏皮罗;佩曼·尚贾尼 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H04B1/04;H04B1/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种基于高掷数多极FET的RF开关架构，其在插入损耗、返回损耗、隔离、线性度和功率处理方面提供了良好的RF性能。公共端口RFC沿公共路径耦接到多个端口RFn。实施方式引入了由状态相关逻辑控制的另外的公共RF路径分支隔离开关。分支隔离开关帮助将未使用的分支端口RFn和公共路径的未使用部分与公共路径的起作用的部分相隔离，并由此降低了可归因于这样的分支的电抗性负载，该电抗性负载使“较靠近”公共端口RFC的端口RFn的RF性能降级。还可以使用分支隔离开关来针对多路复用功能而重新配置开关架构以及出于可重新配置性目的、调谐或改变开关掷数和封装选项而重新配置单独的开关路径组。 | ||
| 搜索关键词： | 高掷数 rf 开关 | ||
【主权项】：
1.一种高掷数多极RF开关，包括：(a)公共端口；(b)至少两个分支，每个分支包括至少一个信号端口；以及(c)连接在所述公共端口与所述至少两个分支中对应的一个之间的至少一个分支隔离开关；其中，当所选信号端口耦接到所述公共端口时，所述所选信号端口与所述公共端口之间的任何分支隔离开关被配置于导通状态，并且所有其他分支隔离开关被配置于阻塞状态。
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