[发明专利]高掷数RF开关有效
| 申请号： | 201680083387.9 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108781079B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 埃里克·S·夏皮罗;佩曼·尚贾尼 | 申请（专利权）人： | 派赛公司 |
| 主分类号： | H03K17/693 | 分类号： | H03K17/693;H04B1/04;H04B1/48 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 康建峰;杨华 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 高掷数 rf 开关 | ||
1.一种RF开关，包括：
(a)公共端口；
(b)至少两个区段，每个区段包括至少一个分支，每个分支包括至少一个信号端口，至少一个分支包括高隔离串联分流开关元件，所述高隔离串联分流开关元件包括：
(i)串联开关；
(ii)耦接在所述串联开关与电路地之间的分流开关；以及
(iii)串联连接在所述串联开关与所述信号端口之间、并且包括高隔离开关以及与所述高隔离开关并联耦接的终止电阻器的吸收性开关模块；以及
(c)至少一个分支隔离开关，其中，相邻区段通过所述至少一个分支隔离开关中的一个来连接，并且可选地，所述公共端口通过所述至少一个分支隔离开关中的一个耦接到至少一个相邻区段；
其中，当所选信号端口耦接到所述公共端口时，所述所选信号端口与所述公共端口之间的任何分支隔离开关被配置于导通状态，并且所有其他分支隔离开关被配置于阻塞状态。
2.根据权利要求1所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关是FET。
3.根据权利要求1所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关包括FET堆。
4.根据权利要求1所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关选自于双极结型晶体管、PIN二极管或微电子机械系统开关中的一个。
5.根据权利要求1所述的RF开关，其中，每个信号端口包括用于将这样的信号端口选择性地耦接到所选组的其他信号端口中的任何信号端口的开关。
6.根据权利要求1所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关包括：(1)串联FET；以及(2)耦接在所述串联FET的节点与电路地之间的分流FET。
7.根据权利要求1所述的RF开关，还包括可操作地耦接到所述公共端口的终止电路。
8.一种RF开关，包括：
(a)至少一个公共路径；
(b)耦接到所述至少一个公共路径的公共端口；
(c)至少两个区段，每个区段包括至少一个分支，每个分支包括通过串联分流开关元件耦接到所述公共路径中的一个的至少一个信号端口，至少一个串联分流开关元件是高隔离串联分流开关元件，所述高隔离串联分流开关元件包括：
(i)串联开关；
(ii)耦接在所述串联开关与电路地之间的分流开关；以及
(iii)串联连接在所述串联开关与所述信号端口之间、并且包括高隔离开关以及与所述高隔离开关并联耦接的终止电阻器的吸收性开关模块；以及
(d)至少一个分支隔离开关，其中，相邻区段通过所述至少一个分支隔离开关中的一个来连接，并且可选地，所述公共端口通过所述至少一个分支隔离开关中的一个耦接到至少一个相邻区段；
其中，当所选信号端口耦接到所述公共端口时，所述所选信号端口与所述公共端口之间的任何分支隔离开关被配置于导通状态，并且所有其他分支隔离开关被配置于阻塞状态。
9.根据权利要求8所述的RF开关，其中，所述公共端口耦接在所述至少一个公共路径的端之间。
10.根据权利要求8所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关是FET。
11.根据权利要求8所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关包括FET堆。
12.根据权利要求8所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关选自于双极结型晶体管、PIN二极管或微电子机械系统开关中的一个。
13.根据权利要求8所述的RF开关，其中，至少一个分支隔离开关包括：(1)串联FET；以及(2)耦接在所述串联FET的节点与电路地之间的分流FET。
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