[发明专利]分布反馈型半导体激光器有效
| 申请号： | 201680083224.0 | 申请日： | 2016-09-01 |
| 公开（公告）号： | CN108701963B | 公开（公告）日： | 2020-03-24 |
| 发明（设计）人： | 斋藤真司;角野努;山根统;津村明 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝 |
| 主分类号： | H01S5/12 | 分类号： | H01S5/12;H01S5/343 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 杨谦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。 | ||
| 搜索关键词： | 分布 反馈 半导体激光器 | ||
【主权项】：
1.一种分布反馈型半导体激光器，其中，具备半导体层叠体和第一电极；上述半导体层叠体包括：第一层；有源层，设置在上述第一层之上，能够通过子带间光跃迁而射出激光；以及第二层，设置在上述有源层之上；上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，上述平坦部包含上述第二层的表面，上述槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅；上述第一电极设置在上述第一区域。
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