[发明专利]分布反馈型半导体激光器

说明书

分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁射出激光的有源层、和设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，该平坦部包括上述第二层的表面，该槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿着第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设于上述第一区域。

技术领域

本发明的实施方式涉及分布反馈型半导体激光器。

背景技术

在沿着光轴设有衍射光栅的分布反馈型半导体激光器中，能够实现窄光谱宽度的单一模式振荡。

在包含有源层的半导体层叠体上设有条形电极的增益导引(gain-guided)型激光器中，电流限制(current confinement)不充分，横向的光限制效应小。

若将包含有源层的半导体层叠体作为脊(ridge)剖面，则电流限制是可能的，光限制效应提高。但是，从有源层向横向的散热不充分。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特表2012－526375号公报

发明内容

发明要解决的课题

提供一种散热性提高、能够射出2～100μm波长的激光的分布反馈型半导体激光器。

用于解决课题的手段

实施方式的分布反馈型半导体激光器具有半导体层叠体和第一电极。上述半导体层叠体包括第一层、设置在上述第一层之上且能够通过子带间光跃迁而射出激光的有源层以及设置在上述有源层之上的第二层。上述半导体层叠体具有包括平坦部和槽部的第一面，上述平坦部包括上述第二层的表面，上述槽部从上述表面到达上述第一层，上述平坦部具有沿第一直线延伸的第一区域和以与上述第一直线正交的方式延伸的第二区域，上述槽部和上述第二区域在上述第一区域的外侧构成沿着上述第一直线具有规定间距的衍射光栅。上述第一电极设置在上述第一区域。

附图说明

图1(a)是第一实施方式的分布反馈型半导体激光器的局部示意立体图，图1(b)是沿着A－A线的示意剖面图，图1(c)是沿着B－B线的示意剖面图。图1(d)是沿着C－C线的示意剖面图。

图2是半导体层叠体的局部示意立体图。

图3(a)是第一比较例的QCL的示意剖面图，图3(b)是第二比较例的QCL的示意剖面图，图3(c)是第三比较例的QCL的示意剖面图。

图4是与热沉接合的第一实施方式的分布反馈型半导体激光器的示意剖面图。

图5(a)是第二实施方式的分布反馈型半导体激光器的局部示意立体图，图5(b)是沿着A－A线的示意剖面图，图5(c)是沿着B－B线的示意剖面图。

图6(a)是第三实施方式的分布反馈型半导体激光器的示意立体图，图6(b)是沿着F－F线的第一区域的示意剖面图，图6(c)是沿着E－E线的第二区域的示意剖面图。

图7是第三实施方式的变形例的分布反馈型半导体激光器的示意立体图。

具体实施方式

以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。

图1(a)是第一实施方式的分布反馈型半导体激光器的局部示意立体图，图1(b)是沿着A－A线的示意剖面图，图1(c)是沿着B－B线的示意剖面图，图1(d)是沿着C－C线的示意剖面图。

此外，图2是半导体层叠体的局部示意立体图。