[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680079077.X | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN108475637B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 野田麻奈美;木村光太 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在沟槽(4)形成有栅极电极(10)，该沟槽(4)形成于半导体衬底(3)。以将栅极电极(10)等覆盖的方式形成有栅极层间绝缘膜(11)。以与栅极层间绝缘膜(11)接触的方式形成有栅极配线(15)以及发射极电极(17)。以将栅极配线(15)以及发射极电极(17)覆盖的方式形成有玻璃涂层膜(19)以及聚酰亚胺膜(21)。以将聚酰亚胺膜(21)覆盖的方式形成有焊料层(25)。栅极配线(15)以及发射极电极(17)例如由钨膜(14)形成。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：半导体衬底；绝缘膜，其以将所述半导体衬底覆盖的方式形成；第1导电体，其形成于所述绝缘膜之上；第2导电体，其在所述绝缘膜之上，与所述第1导电体隔开距离形成；保护膜，其以将所述第1导电体以及所述第2导电体覆盖的方式形成；以及焊料层，其以将所述保护膜覆盖的方式形成，所述第1导电体以及所述第2导电体具有大于或等于300GPa的杨氏模量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
