[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201680079077.X | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN108475637B | 公开（公告）日： | 2022-08-16 |
| 发明（设计）人： | 野田麻奈美;木村光太 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 何立波;张天舒 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
1.一种半导体装置，其具备：
半导体衬底；
绝缘膜，其以将所述半导体衬底覆盖的方式形成；
第1导电体，其形成于所述绝缘膜之上；
第2导电体，其在所述绝缘膜之上，与所述第1导电体隔开距离形成；
填埋体，其以将所述第1导电体和所述第2导电体之间填埋的方式形成；
保护膜，其以将所述第1导电体、所述第2导电体以及所述填埋体覆盖的方式形成；
焊料层，其以将所述保护膜覆盖的方式形成；以及
玻璃涂层膜，其将所述第1导电体以及所述第2导电体的上表面覆盖，
所述焊料层的热膨胀系数比所述保护膜的热膨胀系数高，
所述填埋体的上表面与所述玻璃涂层膜的上表面的位置对齐。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述填埋体由从下述组中选择的任意材料形成，该组由铝即Al、钨即W、以及钛即Ti构成。
3.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述保护膜包含与所述焊料层接触的半绝缘性保护膜。
4.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，
所述第1导电体包含配线，
所述第2导电体包含电极。
5.一种半导体装置，其具备：
半导体衬底；
绝缘膜，其以将所述半导体衬底覆盖的方式形成；
第1导电体，其形成于所述绝缘膜之上；
第2导电体，其在所述绝缘膜之上，与所述第1导电体隔开距离形成；
保护膜，其以将所述第1导电体以及所述第2导电体覆盖的方式形成；以及
焊料层，其以将所述保护膜覆盖的方式形成，
所述焊料层的热膨胀系数比所述保护膜的热膨胀系数高，
在所述第1导电体以及所述第2导电体的彼此相对的面形成有倾斜部，
所述倾斜部为阶梯状。
6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述保护膜包含与所述焊料层接触的半绝缘性保护膜。
7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，
所述第1导电体包含配线，
所述第2导电体包含电极。
8.一种半导体装置，其具备：
半导体衬底；
绝缘膜，其以将所述半导体衬底覆盖的方式形成；
第1导电体，其形成于所述绝缘膜之上；
第2导电体，其在所述绝缘膜之上，与所述第1导电体隔开距离形成；
保护膜，其以将所述第1导电体以及所述第2导电体覆盖的方式形成；以及
焊料层，其以将所述保护膜覆盖的方式形成，
所述焊料层的热膨胀系数比所述保护膜的热膨胀系数高，
所述第2导电体的上表面配置于比所述第1导电体的下表面低的位置。
9.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述保护膜包含与所述焊料层接触的半绝缘性保护膜。
10.根据权利要求8所述的半导体装置，其中，
所述第1导电体包含配线，
所述第2导电体包含电极。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
