[发明专利]用于制造多层MEMS构件的方法和相应的多层MEMS构件有效
| 申请号： | 201680078844.5 | 申请日： | 2016-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN108463431B | 公开（公告）日： | 2023-02-28 |
| 发明（设计）人： | O·布赖特舍德尔;A·克尔布尔;C·齐尔克;P·B·施塔费尔德;H·阿尔特曼 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 侯鸣慧 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明实现一种用于制造多层MEMS构件的方法和一种相应的多层MEMS构件。所述方法包括以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；使第一多晶层(4；4a；4b)在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且使第二多晶层(40；40a；40b)在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 多层 mems 构件 方法 相应 | ||
【主权项】：
1.用于制造多层MEMS构件的方法，所述方法具有以下步骤：提供多层衬底(12、3；1a、2、3)，该多层衬底具有单晶载体层(1；1a)、带有正面(V)和背面(R)的单晶功能层(3)和位于背面(R)与载体层(1)之间的键合层(2)；在所述单晶功能层(3)的所述正面(V)上生长第一多晶层(4；4a；4b)；去除所述单晶载体层(1；1a)；并且在所述单晶功能层(3)的所述背面(R)上生长第二多晶层(40；40a；40b)。
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