[发明专利]用于制造多层MEMS构件的方法和相应的多层MEMS构件

权利要求书

1.用于制造多层MEMS构件的方法，所述方法具有以下步骤：提供多层衬底（1、2、3；1a、2、3），该多层衬底具有单晶载体层（1；1a）、带有正面（V）和背面（R）的单晶功能层（3）和位于背面（R）与载体层（1）之间的键合层（2）；在所述单晶功能层（3）的所述正面（V）上生长第一多晶层（4；4a；4b）；去除所述单晶载体层（1；1a）；并且在所述单晶功能层（3）的所述背面（R）上生长第二多晶层（40；40a；40b）。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，在去除所述单晶载体层（1）之后去除所述键合层（2）并且使所述第二多晶层（40）在所述单晶功能层（3）的所述背面（R）上生长。

3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述第二多晶层（40a）至少部分地在所述键合层（2）上生长。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，使所述第一多晶层（4）在所述单晶功能层（3）的所述正面（V）上生长。

5.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述正面（V）上形成绝缘层（20）并且使所述第一多晶层（4a）在所述绝缘层（20）上生长。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，将所述单晶功能层（3）结构化为多个功能区域（3a-3d），在所述功能区域之间形成通向所述键合层（2）的通孔（K1-K3），其中，在所述功能区域（3a-3d）上并且在所述通孔（K1-K3）中形成绝缘层（20a），并且其中，在所述绝缘层（20a）中形成另一通孔（K4）以在所述正面（V）上露出功能区域（3c）。

7.根据权利要求6所述的方法，其中，所述第一多晶层（4b）在所述绝缘层（20a）上沉积，并且在相同步骤中在所述第一多晶层（4b）内部在露出的所述功能区域（3c）上形成单晶区域（30）作为电的正面接触区域。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，在去除所述单晶载体层（1）以后这样结构化键合层（2），使得在所述背面（R）上露出功能区域（3c），并且所述第二多晶层（40b）在所述键合层（20）上沉积，并且在相同步骤中在所述第二多晶层（40b）内部在露出的所述功能区域（3c）上形成单晶区域（31）作为电的背面接触区域。

9.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，在所述单晶载体层（1a）中形成注入损伤区域（1000），并且所述单晶载体层（1a）在去除时在所述注入损伤区域（1000）中裂开。

10.根据权利要求1至3中任一项所述的方法，其中，所述多层衬底（1、2、3；1a、2、3）是SOI衬底（100）。

11.多层MEMS构件，具有：在单晶功能层（3）的正面（V）上的第一多晶层（4；4a；4b）；和在单晶功能层（3）的背面（R）上的第二多晶层（40；40a；40b），其中，键合层（2）结构化，使得在所述背面（R）上露出功能区域（3c），并且所述第二多晶层（40b）在所述键合层（20）上形成，并且在所述第二多晶层（40b）内部在露出的所述功能区域（3c）上形成单晶区域（31）作为电的背面接触区域。

12.多层MEMS构件，具有：在单晶功能层（3）的正面（V）上的第一多晶层（4；4a；4b）；和在单晶功能层（3）的背面（R）上的第二多晶层（40；40a；40b），其中，单晶功能层（3）结构化为多个功能区域（3a-3d），在所述功能区域之间形成通向键合层（2）的通孔（K1-K3），其中，绝缘层（20a）在所述功能区域（3a-3d）上并且在所述通孔（K1-K3）中形成，其中，另一通孔（K4）在所述绝缘层（20a）中形成以在所述正面（V）上露出功能区域（3c）。