[发明专利]具有针对氢输运的阻挡层的EUV元件在审
| 申请号： | 201680078648.8 | 申请日： | 2016-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108463747A | 公开（公告）日： | 2018-08-28 |
| 发明（设计）人： | K·R·乌姆斯塔德特 | 申请（专利权）人： | ASML荷兰有限公司 |
| 主分类号： | G02B5/08 | 分类号： | G02B5/08;G01J3/10;G02B5/20;H05G2/00 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 公开了一种具有包括采用非氢气态材料的物种(例如离子、能量中性原子)注入的区域的氢扩散阻挡层的EUV系统。也公开了一种制造该部件的方法，该方法包括注入非氢气态材料的物种以形成氢扩散阻挡层的步骤，以及还公开了一种处理EUV系统元件的方法，该方法包括注入非氢气态材料的物种以防止氢吸收和扩散的步骤。也公开了使得EUV系统元件经受非氢气体离子流以采用非氢气体物种替代EUV系统元件的一个或多个层中氢离子从而气体离子保护EUV系统元件免受氢损伤。 | ||
| 搜索关键词： | 非氢气 系统元件 氢扩散阻挡层 物种 氢离子 气体离子 中性原子 离子流 氢吸收 阻挡层 输运 体物 离子 损伤 扩散 替代 制造 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括用于产生EUV辐射的系统的部件，所述部件在用于产生EUV辐射的所述系统的操作期间被暴露至氢离子，所述部件包括氢扩散阻挡层，所述氢扩散阻挡层包括采用非氢气体的物种注入的区域。
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