[发明专利]半导体发光器件、显示单元和电子设备有效
| 申请号： | 201680077617.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108463930B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 德田耕太;河角孝行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;G09F9/30;G09F9/33;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明的实施方式的半导体发光器件设置有n型半导体层、p型半导体层和设置在n型半导体层和p型半导体层之间并且具有多个阱层的有源层。在包含于有源层中的多个阱层中，位于相对靠近p型半导体层的第二阱层的带隙倾斜角θ1小于位于相对靠近n型半导体层的第一阱层的带隙倾斜角θ2。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 显示 单元 电子设备 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光器件，包括：n型半导体层；p型半导体层；以及设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间并且包括多个阱层的有源层，其中，在所述多个阱层中，位于相对靠近所述n型半导体层的第一阱层和位于相对靠近所述p型半导体层的第二阱层满足以下表达式，0≤θ1<θ2其中，θ1是所述第二阱层中的厚度方向上的带隙倾斜角，θ2是所述第一阱层中的厚度方向上的带隙倾斜角。
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