[发明专利]半导体发光器件、显示单元和电子设备有效
| 申请号： | 201680077617.0 | 申请日： | 2016-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108463930B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | 德田耕太;河角孝行 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;G09F9/30;G09F9/33;H01L33/32 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 余刚;吴孟秋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 器件 显示 单元 电子设备 | ||
1.一种半导体发光器件，包括：
n型半导体层；
p型半导体层；以及
设置在所述n型半导体层和所述p型半导体层之间并且包括多个阱层的有源层，其中，
在所述多个阱层中，位于相对靠近所述n型半导体层的第一阱层和位于相对靠近所述p型半导体层的第二阱层满足以下表达式，
0≤θ1＜θ2
其中，θ1是所述第二阱层中的厚度方向上的带隙倾斜角，
θ2是所述第一阱层中的厚度方向上的带隙倾斜角，其中，所述第一阱层中的带隙和所述第二阱层中的带隙两者随着靠近所述n型半导体层所位于的一侧连续或间断地减小。
2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第二阱层中的价带或导带的厚度方向上的波带倾斜角小于所述第一阱层中的价带或导带的厚度方向上的波带倾斜角。
3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述多个阱层中的每个由包含Ga、Al、In和B中的至少一种元素和N元素的III-V族氮化物半导体构成。
4.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述第一阱层和所述第二阱层由AlxInyGa1-x-yN构成，其中，x0且y0，以及
在所述第一阱层和所述第二阱层中，Al元素的组成比x和In元素的组成比y中的至少一个在所述n型半导体层所位于的一侧相对较大，并且在所述p型半导体层所位于的一侧相对较小。
5.根据权利要求4所述的半导体发光器件，其中，在所述第一阱层和所述第二阱层中，所述Al元素的组成比x和所述In元素的组成比y中的至少一个随着靠近所述n型半导体层所位于的一侧连续地或间断地增大。
6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，所述第一阱层中的带隙和所述第二阱层中的带隙两者随着靠近所述n型半导体层所位于的一侧连续地或间断地增大。
7.根据权利要求6所述的半导体发光器件，其中，所述第二阱层中的价带或导带的厚度方向上的波带倾斜角小于所述第一阱层中的价带或导带的厚度方向上的波带倾斜角。
8.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述第一阱层和所述第二阱层由AlxInyGa1-x-yN构成，其中，x0且y0，并且
在所述第一阱层和所述第二阱层中，Al元素的组成比x和In元素的组成比y中的至少一个在所述n型半导体层所位于的一侧相对较小，并且在所述p型半导体层所位于的一侧相对较大。
9.根据权利要求8所述的半导体发光器件，其中，在所述第一阱层和所述第二阱层中，所述Al元素的组成比x和所述In元素的组成比y中的至少一个随着靠近所述n型半导体层所位于的一侧连续或间断地减小。
10.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中，
所述第一阱层中的带隙随着靠近所述n型半导体层所位于的一侧连续或间断地减小，
所述第二阱层中的带隙是平坦的。
11.根据权利要求3所述的半导体发光器件，其中，
所述第一阱层和所述第二阱层由AlxInyGa1-x-yN构成，其中，x0且y0，
在所述第一阱层中，所述Al元素的组成比x和所述In元素的组成比y中的至少一个在所述n型半导体层所位于的一侧相对较大，并且在所述p型半导体层所位于的一侧相对较小，
在所述第二阱层中，所述Al元素的组成比x和所述In元素的组成比y是恒定的。
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