[发明专利]低漏泄ReRAM FPGA配置单元有效
| 申请号： | 201680075514.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108475526B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆;E·Z·汉迪 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种低漏泄电阻式随机存取存储器单元包括互补的位线对和开关节点。第一ReRAM器件连接到位线中的第一位线。p沟道晶体管具有连接到ReRAM器件的源极、连接到开关节点的漏极、以及连接到偏置电势的栅极。第二ReRAM器件连接到位线中的第二位线。n沟道晶体管具有连接到ReRAM器件的源极、连接到开关节点的漏极、以及连接到偏置电势的栅极。 | ||
| 搜索关键词： | 漏泄 reram fpga 配置 单元 | ||
【主权项】：
1.一种低漏泄电阻式随机存取存储器(ReRAM)单元，包括：互补的位线对；开关节点；第一ReRAM器件，所述第一ReRAM器件具有连接到所述位线中的第一位线的第一端；p沟道晶体管，所述p沟道晶体管具有连接到所述第一ReRAM器件的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极、以及连接到偏置电势的栅极；第二ReRAM器件，所述第二ReRAM器件具有连接到所述位线中的第二位线的第一端；以及n沟道晶体管，所述n沟道晶体管具有连接到所述第二ReRAM器件的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极、以及连接到偏置电势的栅极。
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