[发明专利]低漏泄ReRAM FPGA配置单元有效
| 申请号： | 201680075514.0 | 申请日： | 2016-12-15 |
| 公开（公告）号： | CN108475526B | 公开（公告）日： | 2022-01-25 |
| 发明（设计）人： | J·L·麦科勒姆;E·Z·汉迪 | 申请（专利权）人： | 美高森美SOC公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;H01L27/24 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 周敏;钱孟清 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 漏泄 reram fpga 配置 单元 | ||
1.一种低漏泄电阻式随机存取存储器单元，包括：
互补的位线对；
开关节点；
第一电阻式随机存取存储器器件，所述第一电阻式随机存取存储器器件具有连接到所述互补的位线对中的第一位线的第一端；
p沟道晶体管，所述p沟道晶体管具有连接到所述第一电阻式随机存取存储器器件的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极、以及连接到第一偏置电势的栅极；
第二电阻式随机存取存储器器件，所述第二电阻式随机存取存储器器件具有连接到所述互补的位线对中的第二位线的第一端；
n沟道晶体管，所述n沟道晶体管具有连接到所述第二电阻式随机存取存储器器件的第二端的源极、连接到所述开关节点的漏极、以及连接到第二偏置电势的栅极；
第一编程晶体管，所述第一编程晶体管具有连接到所述第一电阻式随机存取存储器器件的第二端的漏极、连接到字线源的源极以及连接到字线的栅极；以及
第二编程晶体管，所述第二编程晶体管具有连接到所述第二电阻式随机存取存储器器件的第二端的漏极、连接到所述字线源的源极以及连接到所述字线的栅极。
2.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，进一步包括开关晶体管，所述开关晶体管具有连接到所述开关节点的栅极、连接到第一可编程节点的源极以及连接到第二可编程节点的漏极。
3.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，第一偏置电势和第二偏置电势相等。
4.如权利要求3所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一偏置电势和所述第二偏置电势是所述互补的位线对之间的操作电压的一半。
5.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一电阻式随机存取存储器器件和所述第二电阻式随机存取存储器器件是在集成电路中的下部金属互连层与上部金属互连层之间形成的。
6.如权利要求5所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，下部金属互连层是第一金属互连层，并且上部金属互连层是第二金属互连层。
7.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一编程晶体管是n沟道晶体管并且所述第二编程晶体管是n沟道晶体管。
8.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一编程晶体管是p沟道晶体管并且所述第二编程晶体管是p沟道晶体管。
9.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一编程晶体管是p沟道晶体管并且所述第二编程晶体管是n沟道晶体管。
10.如权利要求1所述的电阻式随机存取存储器单元，其特征在于，所述第一编程晶体管是n沟道晶体管并且所述第二编程晶体管是p沟道晶体管。
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