[发明专利]用于增大反应离子与中性物质的比的方法有效
| 申请号： | 201680074818.5 | 申请日： | 2016-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN108475611B | 公开（公告）日： | 2020-10-27 |
| 发明（设计）人： | 陈宗良;约翰·哈塔拉;梁树荣;约瑟·欧尔森 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32;C23C16/455 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨贝贝;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞州格洛斯特郡*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法。本发明的方法是在等离子体处理设备中增加反应离子与中性物质的比。示例性方法包含提供处理设备，处理设备具有包含第一气体入口的等离子体源腔室以及耦合到等离子体源腔室的沉积腔室，其中沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在沉积腔室内的衬底的区域。示例性方法进一步包含产生用于输送到衬底的离子束，以及修改沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，从而增加在离子束被输送到衬底时存在的用于冲击衬底的反应离子的量。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 增大 反应 离子 中性 物质 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供处理设备，所述处理设备包括：包含第一气体入口的等离子体源腔室；以及耦合到所述等离子体源腔室的沉积腔室，所述沉积腔室包含第二气体入口，用于将使用点气体输送到邻近设置在所述沉积腔室内的衬底的区域；产生用于输送到所述衬底的离子束；以及修改所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的压力，从而增加在所述离子束被输送到所述衬底时存在的用于冲击所述衬底的反应离子的量。
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