[发明专利]用于增大反应离子与中性物质的比的方法

权利要求书

1.一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，包括：

提供处理设备，所述处理设备包括：

包含第一气体入口的等离子体源腔室；以及

耦合到所述等离子体源腔室的沉积腔室，所述沉积腔室包含第二气体入口和第三气体入口，用于将第一使用点气体和第二使用点气体分别输送到邻近设置在所述沉积腔室内的衬底的区域；

产生用于输送到所述衬底的离子束；

修改所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的压力，从而增加在所述离子束被输送到所述衬底时存在的用于冲击所述衬底的反应离子的量，其中所述压力通过以下每个来修改：与所述沉积腔室流体连接的沉积腔室泵和与所述等离子体源腔室流体连接的等离子体源腔室泵；以及

通过调节以下中的至少一个来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力：所述第一气体入口的气体流速、所述第二气体入口的气体流速、所述第三气体入口的气体流速，以及所述衬底与所述等离子体源腔室之间的距离。

2.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：增大所述沉积腔室与所述等离子体源腔室之间的压力梯度。

3.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：通过减小所述衬底与所述等离子体源腔室之间的所述距离来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。

4.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：使用控制器独立地控制所述第一气体入口的所述气体流速、所述第二气体入口的所述气体流速以及所述第三气体入口的所述气体流速。

5.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：经由所述第二气体入口和所述第三气体入口将反应气体输送到所述等离子体源腔室。

6.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：通过调节所述沉积腔室泵的泵速和所述等离子体源腔室泵的泵速来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。

7.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：经由所述第一气体入口将惰性气体引入到接近所述衬底的所述区域。

8.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：通过增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力来减少所述离子束的中性物质。

9.根据权利要求8所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：增大所述反应离子的量与所述中性物质的比。

10.根据权利要求1所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：使用所述离子束在所述衬底上形成薄膜层。

11.一种用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，包括：

增大沉积腔室内接近衬底的区域中的压力，以增大在离子束被输送到所述衬底时存在的用于冲击所述衬底的反应离子的量，其中调节以下中的至少一个来增大所述压力：沉积腔室泵的泵速、等离子体源腔室泵的泵速，以及所述衬底与等离子体源腔室之间的距离；以及

通过调节所述等离子体源腔室的第一气体入口的气体流速或所述沉积腔室的第二气体入口的气体流速或所述沉积腔室的第三气体入口的气体流速来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力；以及

产生用于输送到所述衬底的所述离子束。

12.根据权利要求11所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：通过增大所述沉积腔室与所述等离子体源腔室之间的压力梯度来减少在所述离子束被输送到所述衬底时存在的中性物质的量。

13.根据权利要求11所述的用于增大反应离子与中性物质的比的方法，其特征在于，还包括：通过减小所述衬底与所述等离子体源腔室之间的所述距离来增大所述沉积腔室内接近所述衬底的所述区域中的所述压力。