[发明专利]用于处理基板的方法和设备有效
| 申请号: | 201680074710.6 | 申请日: | 2016-12-12 |
| 公开(公告)号: | CN108604533B | 公开(公告)日: | 2023-08-15 |
| 发明(设计)人: | 汪荣军;阿纳塔·K·苏比玛尼;慈航·清;唐先民 | 申请(专利权)人: | 应用材料公司 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;C23C14/34;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金国;赵静 |
| 地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | 本文公开用于处理基板的方法和设备。在一些实施方式中,工艺腔室包含:腔室主体,限定内部空间;基板支撑件,在内部空间内支撑基板;多个阴极,耦合至腔室主体并且具有对应的多个靶,多个靶被溅射至基板上;和屏蔽物,可旋转地耦合至腔室主体的上部并且具有至少一个孔以暴露多个靶中至少一个被溅射的靶,和设置于屏蔽物的背侧中的至少一个袋以容纳和覆盖多个靶中至少另一个不被溅射的靶,其中屏蔽物经配置以绕着处理腔室的中央轴旋转并且沿着处理腔室的中央轴线性移动。 | ||
| 搜索关键词: | 用于 处理 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种工艺腔室,包括:腔室主体,所述腔室主体限定内部空间;腔室主体适配器,所述腔室主体适配器耦合至所述腔室主体的上部,其中所述腔室主体适配器接地;基板支撑件,所述基板支撑件在所述内部空间内支撑基板;多个阴极,所述多个阴极耦合至所述腔室主体适配器并且具有对应的多个靶,所述多个靶用于被溅射至所述基板上;和屏蔽物,所述屏蔽物可旋转地耦合至所述腔室主体适配器并且具有至少一个孔以暴露被溅射的所述多个靶中的至少一个,和至少一个袋以容纳不被溅射的所述多个靶中的至少另一个,其中所述屏蔽物经配置以绕着所述工艺腔室的中央轴旋转和沿着所述工艺腔室的所述中央轴线性移动。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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