[发明专利]用于处理基板的方法和设备

权利要求书

1.一种工艺腔室，包括：

腔室主体，所述腔室主体限定内部空间；

腔室主体适配器，所述腔室主体适配器耦合至所述腔室主体的上部，其中所述腔室主体适配器接地；

基板支撑件，所述基板支撑件在所述内部空间内支撑基板；

多个阴极，所述多个阴极耦合至所述腔室主体适配器并且具有对应的多个靶，所述多个靶用于被溅射至所述基板上；和

屏蔽物，所述屏蔽物可旋转地耦合至所述腔室主体适配器并且具有至少一个孔以暴露被溅射的所述多个靶中的至少一个，和至少一个袋以容纳不被溅射的所述多个靶中的至少另一个，

其中在所述屏蔽物处于缩回位置时，所述多个靶中的至少一个靶的溅射表面延伸超过所述屏蔽物的最低表面，

其中所述屏蔽物经配置以绕着所述工艺腔室的中央轴旋转和沿着所述工艺腔室的所述中央轴线性移动；和

多个接地环，所述多个接地环设置于所述屏蔽物与所述腔室主体适配器之间，以在所述屏蔽物处于所述缩回位置时将所述屏蔽物直接接地到所述腔室主体适配器。

2.如权利要求1所述的工艺腔室，其中所述多个靶中的每一个以相对于所述基板支撑件的预定角度设置。

3.如权利要求1所述的工艺腔室，进一步包括：

工艺气体源，所述工艺气体源耦合至所述工艺腔室以供应预定工艺气体。

4.如权利要求1至3中任一项所述的工艺腔室，其中所述多个靶中的每一个平行于所述基板支撑件设置。

5.如权利要求4所述的工艺腔室，其中所述多个靶包含六个靶。

6.如权利要求5所述的工艺腔室，其中所述六个靶包含三个介电靶和三个金属靶。

7.如权利要求6所述的工艺腔室，其中所述屏蔽物包含三个非相邻孔。

8.如权利要求5所述的工艺腔室，其中所述六个靶包含两个相邻介电靶、由第一金属形成的两个相邻第一金属靶和由第二金属形成的两个相邻第二金属靶。

9.如权利要求8所述的工艺腔室，其中所述屏蔽物包含两个相邻孔。

10.如权利要求1至3中任一项所述的工艺腔室，其中所述屏蔽物包含多个孔以暴露所述多个靶中的多个。

11.如权利要求10所述的工艺腔室，其中所述屏蔽物进一步包含多个袋以容纳所述多个靶中的多个。

12.如权利要求1至3中任一项所述的工艺腔室，其中所述多个靶中的每一个在大体上共面的布置中平行于所述基板支撑件设置，其中所述屏蔽物具有平行于所述多个靶的平直取向。

13.一种用于在工艺腔室中处理设置于基板支撑件上的基板的方法，所述工艺腔室包括多个接地环，所述多个接地环设置于屏蔽物与腔室主体适配器之间，以在所述屏蔽物处于缩回位置时将所述屏蔽物直接接地到所述腔室主体适配器，所述方法包括以下步骤：

放置设置于所述工艺腔室内的屏蔽物，以经由所述屏蔽物中的孔暴露第一靶，同时覆盖第二靶，所述第二靶设置于袋中，所述袋形成在相对于所述基板的所述屏蔽物的背侧中，其中在所述屏蔽物处于缩回位置时，所述第一靶的溅射表面延伸超过所述屏蔽物的最低表面；

从所述第一靶溅射第一材料；

旋转所述屏蔽物，以经由所述屏蔽物中的所述孔暴露第二靶，同时覆盖所述第一靶，所述第一靶设置于所述袋中或在第二袋中，所述第二袋形成在所述屏蔽物的所述背侧中；和

从所述第二靶溅射第二材料。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述第一靶是介电靶，所述第二靶是金属靶，并且进一步包括以下步骤：

在溅射所述第一材料之前，旋转所述屏蔽物以经由所述屏蔽物中的所述孔暴露所述介电靶，并且沿着所述工艺腔室的中央轴向上移动所述屏蔽物远离所述基板支撑件至缩回位置；

溅射所述第一材料至所述基板的表面上；

从所述工艺腔室移除所述基板；

沿着所述中央轴向下移动所述屏蔽物朝向所述基板支撑件，旋转所述屏蔽物，以经由所述屏蔽物中的所述孔暴露所述金属靶，并且沿着所述中央轴向上移动所述屏蔽物离开至所述缩回位置；

从所述金属靶粘贴金属材料至所述工艺腔室的内部表面上；和

使氧气流动进入所述工艺腔室以氧化粘贴的所述金属材料。