[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的含金属的热扩散阻挡层有效
申请号: | 201680074391.9 | 申请日: | 2016-12-13 |
公开(公告)号: | CN108369973B | 公开(公告)日: | 2022-12-02 |
发明(设计)人: | 金泰锡;罗伯特·韦尔;加布里埃尔·哈利;尼尔斯-彼得·哈德;延斯-德克·莫施纳;马蒂厄·穆尔斯;米歇尔·阿尔塞纳·恩加姆·托科 | 申请(专利权)人: | 太阳能公司;道达尔销售服务公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0392;H01L31/0236;H01L31/036 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 樊晓焕;金小芳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明描述了在基于箔的金属化方法中使用含金属的热扩散阻挡层来制造太阳能电池的方法,以及所制得的太阳能电池。例如,制造太阳能电池的方法包括在基板中或上方形成多个半导体区域。该方法还包括在多个半导体区域上方形成含金属的热扩散阻挡层。该方法还包括在含金属的热扩散阻挡层上形成金属晶种层。该方法还包括在金属晶种层上形成金属导体层。该方法还包括将金属导体层激光焊接至金属晶种层。在激光焊接过程中,含金属的热扩散阻挡层保护多个半导体区域。 | ||
搜索关键词: | 用于 基于 太阳能电池 金属化 金属 扩散 阻挡 | ||
【主权项】:
1.一种制造太阳能电池的方法,所述方法包括:在基板内部或上方形成多个半导体区域;在所述多个半导体区域上方形成含金属的热扩散阻挡层;在所述含金属的热扩散阻挡层上形成金属晶种层;在所述金属晶种层上形成金属导体层;以及将所述金属导体层激光焊接至所述金属晶种层,其中,在激光焊接期间,所述含金属的热扩散阻挡层保护所述多个半导体区域。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的