[发明专利]用于基于箔的太阳能电池金属化的含金属的热扩散阻挡层

权利要求书

1.一种制造太阳能电池的方法，所述方法包括：

在基板内部或上方形成多个半导体区域；

在所述多个半导体区域上方形成含金属的热扩散阻挡层；

在所述含金属的热扩散阻挡层上形成金属晶种层；

在所述金属晶种层上形成金属导体层；以及

将所述金属导体层激光焊接至所述金属晶种层，其中，在激光焊接期间，所述含金属的热扩散阻挡层保护所述多个半导体区域。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括：

在形成所述含金属的热扩散阻挡层之前，在所述多个半导体区域上形成反射层，其中该含金属的热扩散阻挡层形成于所述反射层之上。

3.根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属晶种层上形成所述金属导体层包括在所述金属晶种层上形成金属箔。

4.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在将所述金属箔激光焊接至所述金属晶种层之后，图案化所述金属箔。

5.根据权利要求3所述的方法，还包括：

在将所述金属箔激光焊接至所述金属晶种层之前，图案化所述金属箔。

6.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述金属箔包括：

在与所述多个半导体区域之间位置对齐的区域处仅激光烧蚀穿透所述金属箔的一部分；以及

在激光烧蚀之后，蚀刻剩余的金属箔以隔离与所述多个半导体区域对齐的剩余金属箔的区域。

7.根据权利要求3所述的方法，其中图案化所述金属箔包括：

在与所述多个半导体区域之间位置对齐的区域处仅激光烧蚀穿透所述金属箔的一部分；以及

在激光烧蚀之后，阳极氧化所述金属箔以隔离与所述多个半导体区域对齐的剩余金属箔的区域。

8.根据权利要求3所述的方法，其中，在所述金属晶种层上形成所述金属导体层之前，未将所述金属晶种层和所述含金属的热扩散阻挡层图案化，所述方法还包括：

在图案化所述金属箔的同时，图案化所述金属晶种层和所述含金属的热扩散阻挡层。

9.根据权利要求1所述的方法，其中，在所述金属晶种层上形成所述金属导体层之前，图案化所述金属晶种层和所述含金属的热扩散阻挡层。

10.根据权利要求1所述的方法，其中在所述金属晶种层上形成所述金属导体层包括在所述金属晶种层上形成金属丝。

11.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述多个半导体区域包括由形成于所述基板上方的多晶硅层形成所述多个半导体区域，所述方法还包括：

在所述多个半导体区域的彼此之间形成沟槽，并且所述沟槽部分地延伸至所述基板中。

12.根据权利要求1所述的方法，其中所述基板为单晶硅基板，并且其中形成所述多个半导体区域包括在所述单晶硅基板内形成所述多个半导体区域。

13.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述金属晶种层包括形成厚度在0.05至20微米范围内并包含含量大于90原子％的铝的层，并且其中所述金属导体层包含铝。

14.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含金属的热扩散阻挡层包括形成材料层，所述材料层选自由氮化钛(TiN)层、钨钛(TiW)层和氮化钽(TaN)层构成的组。

15.根据权利要求1所述的方法，其中形成所述含金属的热扩散阻挡层包括通过化学气相沉积或物理气相沉积形成材料层，并且该材料层的厚度在30-500纳米范围内。

16.根据权利要求2所述的方法，其中形成所述反射层包括形成厚度在20-100纳米范围内的铝层。