[发明专利]晶圆抛光方法及抛光装置有效
申请号: | 201680074228.2 | 申请日: | 2016-11-04 |
公开(公告)号: | CN108369906B | 公开(公告)日: | 2022-07-05 |
发明(设计)人: | 川崎智宪;寺川良也 | 申请(专利权)人: | 胜高股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/08 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 张泽洲;刘林华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种晶圆抛光方法及抛光装置,其抑制晶圆外周的消除量的形状的偏差使其不随着抛光垫寿命的进展而变化。本发明的晶圆抛光方法其对贴附了抛光垫(12)的旋转平台(10)上供给浆料,并且用加压头(13)加压保持抛光垫(12)上的晶圆的同时使旋转平台(10)及加压头(13)旋转,以对晶圆的单面进行抛光,其监测晶圆抛光中的抛光垫(12)的表面温度T及旋转驱动旋转平台(10)的马达(11a)的负荷电流值(F)而计算出F/T值,并基于所述F/T值控制旋转平台(10)的旋转速度及加压头(13)的抛光压力中的至少一个。 | ||
搜索关键词: | 抛光 方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种晶圆抛光方法,其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光,所述晶圆抛光方法的特征在于,监测旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F及所述晶圆抛光中的所述抛光垫的表面温度T而计算出F/T值,并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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