[发明专利]晶圆抛光方法及抛光装置有效
| 申请号： | 201680074228.2 | 申请日： | 2016-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN108369906B | 公开（公告）日： | 2022-07-05 |
| 发明（设计）人： | 川崎智宪;寺川良也 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;B24B37/08 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 张泽洲;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 抛光 方法 装置 | ||
1.一种晶圆抛光方法，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光方法的特征在于，
监测旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F及所述晶圆抛光中的所述抛光垫的表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法，其中，
配合所述F/T值的增加而使所述旋转平台的旋转速度加快。
3.根据权利要求1或2所述的晶圆抛光方法，其中，
配合所述F/T值的增加使所述加压头的抛光压力减小。
4.根据权利要求1或2所述的晶圆抛光方法，其中,
相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。
5.根据权利要求1或2所述的晶圆抛光方法，其中，
基于前批次的晶圆加工工序中已测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。
6.一种晶圆抛光装置，其对贴附了抛光垫的旋转平台上供给浆料，并且用加压头加压保持所述抛光垫上的晶圆的同时使所述旋转平台及所述加压头旋转以对所述晶圆的单面进行抛光，所述晶圆抛光装置的特征在于，具备：
电流测定电路，测定旋转驱动所述旋转平台的马达的负荷电流值F；
温度计，测定所述抛光垫的表面温度T；以及
控制部，由所述负荷电流值F及所述表面温度T而计算出F/T值，并基于所述F/T值控制所述旋转平台的旋转速度及所述加压头的抛光压力中的至少一个。
7.根据权利要求6所述的晶圆抛光装置，其中,
所述控制部配合所述F/T值的增加而使所述旋转平台的旋转速度加快。
8.根据权利要求6或7所述的晶圆抛光装置，其中，
所述控制部配合所述F/T值的增加而使所述加压头的抛光压力减小。
9.根据权利要求6或7所述的晶圆抛光装置，其中,
所述控制部相较于所述加压头的抛光压力，优先控制所述旋转平台的旋转速度。
10.根据权利要求6或7所述的晶圆抛光装置，其中，
所述控制部基于前批次的晶圆加工工序中已测定的所述F/T值，设定下一批次之后的晶圆加工工序中的所述旋转平台的旋转速度或所述加压头的抛光压力。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
