[发明专利]套刻误差校正有效
| 申请号： | 201680070181.2 | 申请日： | 2016-09-22 |
| 公开（公告）号： | CN108292110B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 芒格什·邦阿;布鲁斯·E·亚当斯;凯利·E·霍拉;阿布拉什·J·马约尔;慧雄·戴;乔君·陈 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 确定晶片的校准曲线，晶片包含基板上的层。校准曲线表示局部参数变化随着与晶片暴露至光相关的处理参数而变。测量晶片的局部参数。基于晶片的局部参数，确定套刻误差。基于校准曲线，计算处理映像，以校正晶片的套刻误差。处理映像表示处理参数随晶片上的位置而变。 | ||
| 搜索关键词： | 误差 校正 | ||
【主权项】：
1.一种校正套刻误差的方法，包含以下步骤：确定第一晶片的第一校准曲线，所述第一晶片包含在基板上的第一层，所述第一校准曲线表示局部参数变化随与晶片暴露至光相关联的第一处理参数而变；测量所述第一晶片的所述局部参数；基于所述局部参数，确定第一套刻误差；和基于所述第一校准曲线，计算第一处理映像，以校正所述第一晶片的所述第一套刻误差，所述第一处理映像表示所述第一处理参数随所述第一晶片上的位置而变。
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