[发明专利]套刻误差校正

权利要求书

1.一种校正套刻误差的方法，包含以下步骤：

确定第一晶片的第一校准曲线，所述第一晶片包含在基板上的第一层，所述第一校准曲线表示局部应力参数变化随与晶片暴露至光相关联的第一处理参数而变；

测量所述第一晶片的所述局部应力参数；

基于所述局部应力参数，确定第一套刻误差；和

基于所述第一校准曲线，计算第一处理映像，以校正所述第一晶片的所述第一套刻误差，所述第一处理映像表示所述第一处理参数随所述第一晶片上的位置而变。

2.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

使用所述第一处理映像，处理所述第一晶片。

3.如权利要求1所述的方法，进一步包含以下步骤：

重新测量所述第一晶片的所述局部应力参数；

基于重新测量的局部应力参数，确定第二套刻误差；

确定所述第二套刻误差是否大于预定阀值；和

若所述第二套刻误差大于所述预定阀值，则基于所述第二套刻误差，计算所述第一晶片的第二处理映像。

4.如权利要求1所述的方法，进一步包含：

测量参考晶片的所述局部应力参数对多个处理条件的响应，所述多个处理条件与多个处理参数相关联；

基于测量，生成多个校准曲线；

确定每个校准曲线的工艺窗口，其中所述第一校准曲线至少基于所述工艺窗口选自储存于存储器中的所述多个校准曲线。

5.如权利要求1所述的方法，其中所述第一层是掩模层，其中所述基板包含多层堆叠结构。

6.一种非暂态机器可读介质，包含指令，所述指令促使数据处理系统执行操作，所述操作包含：

确定第一晶片的第一校准曲线，所述第一晶片包含在基板上的第一层，所述第一校准曲线表示局部应力参数变化随与晶片暴露至光相关联的第一处理参数而变；

测量所述第一晶片的所述局部应力参数；

基于所述局部应力参数，确定第一套刻误差；和

基于所述第一校准曲线，计算第一处理映像，以校正所述第一晶片的所述第一套刻误差，所述第一处理映像表示所述第一处理参数随所述第一晶片上的位置而变。

7.如权利要求6所述的非暂态机器可读介质，进一步包含指令，所述指令促使所述数据处理系统执行操作，所述操作包含使用所述第一处理映像，处理所述第一晶片。

8.如权利要求6所述的非暂态机器可读介质，进一步包含指令，所述指令促使所述数据处理系统执行操作，所述操作包含：

重新测量所述第一晶片的所述局部应力参数；

基于重新测量的局部应力参数，确定第二套刻误差；

确定所述第二套刻误差是否大于预定阀值；和

若所述第二套刻误差大于所述预定阀值，则基于所述第二套刻误差，计算所述第一晶片的第二处理映像。

9.如权利要求6所述的非暂态机器可读介质，进一步包含指令，所述指令促使所述数据处理系统执行操作，所述操作包含：

测量参考晶片的所述局部应力参数对多个处理条件的响应，所述多个处理条件与多个处理参数相关联；

基于测量，生成多个校准曲线；

确定每个校准曲线的工艺窗口，其中所述第一校准曲线至少基于所述工艺窗口选自储存于存储器中的所述多个校准曲线。

10.如权利要求9所述的非暂态机器可读介质，其中所述第一层是掩模层，并且其中所述基板包含多层堆叠结构。