[发明专利]具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法有效
| 申请号： | 201680069206.7 | 申请日： | 2016-10-05 |
| 公开（公告）号： | CN108291843B | 公开（公告）日： | 2021-04-13 |
| 发明（设计）人： | J·朱斯;W·冯埃姆登 | 申请（专利权）人： | 罗伯特·博世有限公司 |
| 主分类号： | G01K7/01 | 分类号： | G01K7/01;B62D5/04 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 郭毅 |
| 地址： | 德国斯*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
描述一种半导体构件(10)，其具有衬底和至少两个温度测量元件(20，22)。所述两个温度测量元件(20，22)在所述半导体构件(10)的裸晶片(11)上布置在所述半导体构件(10)内的不同位置上。尤其是，温度测量元件(20)能够布置在所述半导体构件(10)的有源区域(14)中，并且温度测量元件(22)能够布置在所述半导体构件(10)的无源区域(16)中。所述温度测量元件(20，22)测量两个不同的温度T |
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| 搜索关键词： | 具有 第一 温度 测量 元件 半导体 构件 以及 用于 确定 流过 电流 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体构件(10)，其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近，并且，第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上。
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