[发明专利]具有第一温度测量元件的半导体构件以及用于确定流过半导体构件的电流的方法

权利要求书

1.一种用于借助温度测量确定流过半导体构件(10)的电流的半导体构件(10)，其具有衬底(12)和第一温度测量元件(20)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)布置在所述半导体构件(10)的大的损耗功率的位置附近，并且，第二温度测量元件(22)在空间上与所述第一温度测量元件(20)间隔开地布置在所述衬底(12)上，其中，所述半导体构件(10)具有至少一个有源区域(14)和至少一个无源区域(16)，其中，所述第二温度测量元件(22)布置在所述无源区域(16)中，其中，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)分别包括一个二极管，及其中，温度的度量分别是在相应的二极管上下降的电压，由此在了解在两个测量点之间的热阻和热容的情况下可以推断出所述半导体构件的当前的损耗功率，从而借助电阻R_DSon确定流过所述半导体构件的电流。

2.根据权利要求1所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)单片式地集成到所述半导体构件(10)中。

3.根据权利要求1或2所述的半导体构件(10)，其特征在于，在所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)之间存在有限的热容(58)和有限的热阻(56)。

4.根据权利要求1或2所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述半导体构件(10)是MOSFET，并且，所述第一温度测量元件(20)和第二温度测量元件(22)中的一个是所述MOSFET的体二极管(24)。

5.根据权利要求1或2所述的半导体构件(10)，其特征在于，在所述第一温度测量元件(20)上的第一温度测量电压(U_D1)和/或在所述第二温度测量元件(22)上的第二温度测量电压(U_D2)能够分别通过专属触垫分接出。

6.根据权利要求1或2所述的半导体构件(10)，其特征在于，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)串联连接。

7.一种用于借助温度测量确定流过半导体构件(10)的电流的方法，所述方法具有以下步骤：

a)读取由布置在高的损耗功率的区域中的第一温度测量元件(20)提供的第一温度(T_J)的值

b)读取由与所述第一温度测量元件(20)在空间上间隔开的第二温度测量元件(22)提供的第二温度(T_sense)的值

c)在将所述第一温度(T_J)和所述第二温度(T_sense)包括在内的情况下，计算流过所述半导体构件(10)的电流，

其中，所述半导体构件(10)具有至少一个有源区域(14)和至少一个无源区域(16)，其中，所述第二温度测量元件(22)布置在所述无源区域(16)中，

其中，所述第一温度测量元件(20)和所述第二温度测量元件(22)分别包括一个二极管，及其中，温度的度量分别是在相应的二极管上下降的电压，由此在了解在两个测量点之间的热阻和热容的情况下可以推断出所述半导体构件的当前的损耗功率，从而借助电阻R_DSon确定流过所述半导体构件的电流。

8.一种用于车辆的控制装置，其包括至少一个根据权利要求1至6中任一项所述的半导体构件(10)。