[发明专利]用于减轻非辐射复合的LED侧壁处理有效
| 申请号： | 201680068700.1 | 申请日： | 2016-12-14 |
| 公开（公告）号： | CN108369974B | 公开（公告）日： | 2021-05-18 |
| 发明（设计）人： | D·P·布尔;D·S·西佐弗;D·A·哈格尔;辛晓滨 | 申请（专利权）人： | 苹果公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;H01L33/14 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 边海梅 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供了LED以及形成具有各种结构构型以减轻所述LED侧壁的非辐射复合的LED的方法。所述的各种构型包括具有支柱结构的LED侧壁表面扩散、用于沿所述LED侧壁形成n‑p超晶格的调制掺杂分布和用于形成浅掺杂或再生长层的进入点的选择性蚀刻的包覆层的组合。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 减轻 辐射 复合 led 侧壁 处理 | ||
【主权项】：
1.一种发光结构，包括：主体，所述主体包括：第一包覆层，所述第一包覆层掺杂有第一掺杂物类型；阻挡层；以及活性层，所述活性层介于所述第一包覆层和所述阻挡层之间；支柱结构，所述支柱结构从所述主体的第一表面伸出，其中所述支柱结构包括第二包覆层，所述第二包覆层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型；以及限制区域，所述限制区域包括横跨所述主体的侧壁和所述主体的所述第一表面的掺杂物浓度，其中所述掺杂物浓度由所述第二掺杂物类型形成并且从所述主体的所述侧壁向所述发光结构的中心竖直轴线侵蚀并且从所述主体的所述第一表面向所述活性层侵蚀，并且所述掺杂物浓度向所述主体内的所述发光结构的中心竖直轴线横向地侵蚀通过所述支柱结构的侧壁。
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