[发明专利]用于减轻非辐射复合的LED侧壁处理

权利要求书

1.一种发光结构，包括：

主体，所述主体包括：

第一包覆层，所述第一包覆层掺杂有第一掺杂物类型；

阻挡层；以及

活性层，所述活性层介于所述第一包覆层和所述阻挡层之间；

支柱结构，所述支柱结构从所述主体的第一表面伸出，其中所述支柱结构包括第二包覆层，所述第二包覆层掺杂有与所述第一掺杂物类型相反的第二掺杂物类型；以及

限制区域，所述限制区域包括横跨所述主体的侧壁和所述主体的所述第一表面的掺杂物浓度，其中所述掺杂物浓度由所述第二掺杂物类型形成并且从所述主体的所述侧壁向所述发光结构的中心竖直轴线侵蚀并且从所述主体的所述第一表面向所述活性层侵蚀，并且所述掺杂物浓度向所述主体内的所述发光结构的中心竖直轴线横向地侵蚀超过所述支柱结构的侧壁。

2.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述支柱结构从所述阻挡层的表面伸出，所述限制区域掺杂物浓度横跨所述阻挡层的所述表面，并且所述掺杂物浓度向所述阻挡层内的所述中心竖直轴线横向地侵蚀通过所述支柱结构的所述侧壁。

3.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述第一掺杂物类型为n型，所述第二掺杂物类型为p型，并且所述掺杂物浓度由选自由Mg和Zn构成的组的掺杂物形成。

4.根据权利要求1所述的发光结构，还包括：

适形钝化层，所述适形钝化层形成在所述主体的所述侧壁、所述支柱结构的所述侧壁以及与所述主体相对的所述支柱结构的表面上并且横跨所述主体的所述侧壁、所述支柱结构的所述侧壁以及与所述主体相对的所述支柱结构的表面；

所述支柱结构的所述表面上的所述适形钝化层中的开口；以及

导电触点，所述导电触点形成在所述支柱结构的所述表面上和所述适形钝化层的所述开口内。

5.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述掺杂物浓度在所述阻挡层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度超出在所述活性层内和所述第一包覆层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度。

6.根据权利要求5所述的发光结构，还包括基部，所述基部包括第一表面，其中所述主体从所述基部的所述第一表面伸出，并且所述基部的所述第一表面宽于所述主体。

7.根据权利要求6所述的发光结构，其中所述掺杂物浓度横跨所述基部的所述第一表面，并且向与所述基部的所述第一表面相对的所述基部的第二表面侵蚀。

8.根据权利要求7所述的发光结构，还包括所述基部的所述第二表面上的第二导电触点。

9.根据权利要求8所述的发光结构，其中所述导电触点通过焊接材料粘结到显示衬底上的接触垫。

10.根据权利要求1所述的发光结构，其中所述掺杂物浓度在所述阻挡层和所述活性层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度超出在所述第一包覆层内向所述中心竖直轴线侵蚀的深度。

11.根据权利要求10所述的发光结构，还包括基部，所述基部包括第一表面，其中所述主体从所述基部的所述第一表面伸出，并且所述基部的所述第一表面宽于所述主体。

12.根据权利要求11所述的发光结构，其中所述掺杂物浓度横跨所述基部的所述第一表面，并且向与所述基部的所述第一表面相对的所述基部的第二表面侵蚀。

13.根据权利要求12所述的发光结构，还包括所述基部的所述第二表面上的第二导电触点。