[发明专利]一种对用于涂覆的表面进行预处理的方法有效
| 申请号： | 201680065754.2 | 申请日： | 2016-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN108368599B | 公开（公告）日： | 2020-11-06 |
| 发明（设计）人： | 卡尔-弗雷德里克·卡斯崔姆;马茨·阿尔格伦;阿鲁蒂乌尼·帕肯·意夏萨里安;帕肯·意夏萨里·霍夫塞皮安 | 申请（专利权）人： | 山特维克知识产权股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/02 | 分类号： | C23C14/02 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 王潜;郭国清 |
| 地址： | 瑞典桑*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种对用于表面涂覆的基底(200)进行预处理的方法，所述方法通过如下方式来实施：使所述基底在真空室(10)中经受金属离子和选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的处理，并在所述基底(1)上施加负电势(P1、P2)，其中所述基底(200)在至少两个步骤(1000、2000)中进行预处理，其中所述步骤在真空室(10)中相继进行，其中所述第一步骤(1000)包括在真空室(10)中提供主要包含选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的等离子体，并在基底(200)上施加第一负电势(P1)，并且其中所述第二步骤(2000)包括在真空室(10)中提供主要包含金属离子的等离子体，并在基底(200)上施加第二负电势(P2)，其中所述第一电势(P1)低于所述第二电势(P2)，并且其中所述第一负电势(P1)的大小为100V–1500V。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 表面 进行 预处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种对用于表面涂覆的基底(200)进行预处理的方法，所述方法通过如下方式来实施：使所述基底在真空室(10)中经受金属离子和选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的处理，并在所述基底(1)上施加负电势(P1、P2)，其中所述基底(200)在至少两个步骤(1000、2000)中进行预处理，其中所述步骤在真空室(10)中相继进行，其中所述第一步骤(1000)包括：‑在真空室(10)中提供主要包含选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的等离子体，以及‑在基底(200)上施加第一负电势(P1)，并且其中所述第二步骤(2000)包括：‑在真空室(10)中提供主要包含金属离子的等离子体，以及‑在基底(200)上施加第二负电势(P2)，其中第一电势(P1)低于第二电势(P2)，并且其中所述第一负电势(P1)的大小为100V–1500V。
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