[发明专利]一种对用于涂覆的表面进行预处理的方法

权利要求书

1.一种对用于表面涂覆的基底(200)进行预处理的方法，所述方法通过如下方式来实施：使所述基底在真空室(10)中经受金属离子和选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的处理，并在所述基底(1)上施加负电势(P1、P2)，其中所述基底(200)在至少两个步骤(1000、2000)中进行预处理，其中所述步骤在真空室(10)中相继进行，其中第一步骤(1000)包括：

-在真空室(10)中提供主要包含选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子的等离子体，以及

-在基底(200)上施加第一负电势(P1)，并且其中第二步骤(2000)包括：

-在真空室(10)中提供主要包含金属离子的等离子体，以及

-在基底(200)上施加第二负电势(P2)，其中第一电势(P1)低于第二电势(P2)，

并且其中所述第一负电势(P1)的大小为100V–500V。

2.根据权利要求1所述的对用于表面涂覆的基底(1)进行预处理的方法，其中所述真空室(10)包含：包含选自氩、氪、氖、氙和氦的惰性气体或惰性气体的混合物的气氛；以及

以HIPIMS模式可操作的磁控管(20)；和

金属靶(21)，其中所述第一步骤(1000)包括：

-操作所述磁控管(20)，以使得在所述等离子体中主要存在选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子，并且其中所述第二步骤(2000)包括：

-操作所述磁控管(20)，以使得在所述等离子体中主要存在金属离子。

3.根据权利要求1所述的对用于表面涂覆的基底(1)进行预处理的方法，其中所述真空室(10)包含：包含选自氩、氪、氖、氙和氦的惰性气体或惰性气体的混合物的气氛；以及

以HIPIMS模式可操作的磁控管(20)；和

金属靶(21)；以及

辉光灯丝(14)，其中所述第一步骤(1000)包括：

-操作所述辉光灯丝(14)预定的时间段以获得等离子体，所述等离子体主要包含选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子，并且其中所述第二步骤(2000)包括：

-操作所述磁控管(20)以获得主要包含金属离子的等离子体。

4.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述第一电势(P1)的大小以使得所述基底(200)的表面被蚀刻。

5.根据权利要求1所述的方法，其中选择所述第二电势(P2)的大小以使得金属离子被引入到所述基底(200)的表面中。

6.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一负电势(P1)的大小为300V–500V。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二负电势(P2)的大小为300V–3000V。

8.根据权利要求1所述的方法，其中所述第二负电势(P2)的大小为400V–1000V。

9.根据权利要求2所述的方法，其中所述第一步骤(1000)包括：

-以第一峰值功率密度(PD1)操作所述磁控管(20)，以使得在所述等离子体中主要存在选自氩离子、氪离子、氖离子、氙离子和氦离子的惰性气体离子。

10.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一峰值功率密度(PD1)为0.1kW/cm²–0.5kW/cm²。

11.根据权利要求9所述的方法，其中所述第一峰值功率密度(PD1)为0.15kW/cm²–0.25kW/cm²。