[发明专利]用于族IIIA-N装置的非蚀刻性气体冷却外延堆叠

摘要

在所描述实例中，一种制造用于族IIIA‑N晶体管的外延堆叠的方法(100)包含在沉积系统的沉积腔室中在衬底上沉积(102)至少一个族IIIA‑N缓冲层。随后将至少一个族IIIA‑N顶盖层沉积(103)于第一族IIIA‑N缓冲层上。在从所述顶盖层沉积的沉积温度的冷却期间，供应到所述沉积腔室的气体混合物包含NH3和至少一种其它气体。所述气体混合物在所述沉积腔室中提供相对于所述顶盖层为非蚀刻性的环境，以使得在所述顶盖层的表面处：(a)且(b)大于()2nm深的凹点的凹点密度小于()每平方μm 10个凹点，其中平均凹点直径小于()0.05μm。

主权项

1.一种制造用于族IIIA‑N晶体管的外延堆叠的方法，所述方法包括：在沉积系统的沉积腔室中在衬底上沉积至少第一族IIIA‑N缓冲层，以及在所述沉积系统的所述沉积腔室中在所述第一族IIIA‑N缓冲层上沉积至少一个族IIIA‑N表面顶盖层(顶盖层)，接着进行≤550℃的冷却工艺，所述冷却工艺使用供应到所述沉积腔室的包含NH₃和至少一种其它气体的气体混合物，其中所述气体混合物在所述沉积腔室中提供相对于所述顶盖层为非蚀刻性的环境，以使得在所述顶盖层的表面处：(a)均方根rms粗糙度<且(b)大于(>)2nm深的凹点的凹点密度小于(<)每平方μm 10个凹点，其中平均凹点直径小于(<)0.05μm。