[发明专利]具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法有效
| 申请号： | 201680064395.9 | 申请日： | 2016-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN108352428B | 公开（公告）日： | 2020-07-14 |
| 发明（设计）人： | 李珍雄;申赞燮;李锦珠;李剡劤;梁明学;雅克布·J·理查德森;埃文·C·奥哈拉 | 申请（专利权）人： | 首尔伟傲世有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/42 | 分类号： | H01L33/42;H01L33/46;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 李盛泉;孙昌浩 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种具有ZnO透明电极的发光元件及其制造方法。根据一实施例的发光元件包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、活性层及第二导电型半导体层；以及ZnO透明电极，位于第二导电型半导体层上，并与第二导电型半导体层欧姆接触，且包括单晶ZnO，其中，通过XRD(X‑ray Diffraction)ω2θ(omega 2theta)扫描的ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过XRDω2θ扫描的第二导电型半导体层的峰的衍射角的±1％范围内，且通过(XRD)ω(omega)扫描的ZnO透明电极的主峰的半宽(FWHM)为900arcsec以下。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 zno 透明 电极 发光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光元件，包括：发光结构体，包括第一导电型半导体层、位于所述第一导电型半导体层上的活性层及位于所述活性层上的第二导电型半导体层；以及ZnO透明电极，位于所述第二导电型半导体层上，并与所述第二导电型半导体层欧姆接触，且包括单晶ZnO，其中，通过X射线衍射ω2θ扫描的所述ZnO透明电极的峰的衍射角处于通过X射线衍射ω2θ扫描的所述第二导电型半导体层的峰的衍射角的±1％范围内，且通过X射线衍射ω扫描的所述ZnO透明电极的主峰的半宽为900arcsec以下。
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